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浙大科創(chuàng)中心

推薦新成果!浙大科創(chuàng)中心8英寸碳化硅襯底研制成功

中國粉體網(wǎng)訊 近日,浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心(簡稱科創(chuàng)中心)先進半導體研究院-杭州乾晶半導體聯(lián)合實驗室(簡稱聯(lián)合實驗室)經(jīng)過系列技術(shù)攻關(guān),在大尺寸碳化硅(SiC)單晶生長及其襯底制備方面取得突破,成功生長出厚度達27毫米的8[更多]

資訊 碳化硅襯底先進陶瓷8英寸碳化硅半導體浙大科創(chuàng)中心
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