廈門大學材料學院日前突破了具有光電特性的連續碳化硅（SiC）自由薄膜關鍵技術，制備出多種組分PCS先驅體，掌握了連續SiC自由薄膜不熔化交聯預處理與高溫裂解燒結的工藝。目前，該技術已申報6項國家發明專利，并形成了連續SiC自由薄膜材料小批量生產能力。

　　據介紹，該項目的主要創新點為：將熔融紡膜與先驅體轉化法相結合，制備出新型功能性連續SiC自由薄膜（厚度8～100微米、寬度20毫米、連續長度＞100米）；從原料的合成階段引入異質元素改性，制備出了耐超高溫、低電阻率及高頻發光特性的連續SiC(Al)自由薄膜，以及適合太陽能電池窗口材料的P型光伏薄膜。

　　新型連續SiC自由薄膜是理想的新型寬帶隙半導體材料，在微機電系統（MEMS）、光電集成器件、藍光發光器件、光伏器件、高溫紫外光敏器件及高溫壓力傳感器等高技術領域應用前景廣闊。