中國粉體網訊  蘇州東微半導體股份有限公司日前發布了首次公開發行股票并在科創板上市發行結果公告，其股票簡稱為東微半導，股票代碼為688261，這也意味著，東微半導即將在上交所科創板上市。

公開資料顯示，東微半導是一家以高性能功率器件研發與銷售為主的技術驅動型半導體企業，其產品專注于工業及汽車相關等中大功率應用領域。公司憑借優秀的半導體器件與工藝創新能力，集中優勢資源聚焦新型功率器件的開發，是國內少數具備從專利到量產完整經驗的高性能功率器件設計公司之一，并在應用于工業級領域的高壓超級結、中低壓SGT功率器件、IGBT芯片領域實現了國產化替代。從公司的公開資料中可以看出東微半導更多地強調其技術的原創性，并依托對器件結構和工藝的創新凸顯產品的領先性，在國內眾多功率半導體廠商中獨樹一幟。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。

除加碼當前炙手可熱的IGBT外，東微半導于2021年7月立項了第三代半導體SiC功率器件自主研發項目，主要針對以碳化硅的為襯底的第三代半導體材料功率器件進行研發。

功率器件行業發展到IGBT(絕緣柵雙極晶體管)時期，硅基器件的性能已經接近極限，邊際成本越來越高，而半導體器件產業仍對高功率、高頻切換、高溫操作、高功率密度等有著越來越多的需求，因此以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等第三代半導體材料為核心的寬禁帶功率器件成為了研究熱點與新發展方向，并逐步進入應用量產階段。SiC功率半導體的發展改善了功率開關器件的硬開關特性，耐壓可達數萬伏，耐溫可達500℃以上，其性能優勢如下：

(1)寬禁帶可大幅減小泄漏電流，從而減少高功率器件損耗；

(2)高擊穿場強可提高功率器件耐壓能力與電流密度，減小整體尺寸；

(3)高熱導率可改善耐高溫能力，有助于器件散熱，減小散熱設備體積，提高集成度，增加功率密度；

(4)強抗輻射能力，更適合在外太空等輻照條件下應用。理論上，SiC器件是實現高壓、高溫、高頻、高功率及抗輻射相結合的理想材料，主要應用于大功率場合，可實現模塊及應用系統的小型化、集成化，提高功率密度和系統效率。

隨著SiC功率器件產業鏈中各項技術的進一步完善，未來各種SiC功率器件會在成品率、可靠性和成本方面取得很大改善，從而進入全面推廣應用的階段，將引發電力電子技術的新革命。

參考來源：集微網、中國粉體網、百度百科

（中國粉體網編輯整理/山川）

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