中國粉體網訊  近日，國家知識產權局信息顯示，西安奕斯偉材料科技股份有限公司取得一項名為“用于最終拋光工藝的處理方法及拋光晶圓”的專利，可以在對晶圓表面進行前序工藝損傷去除和鏡面化修復的同時減少微分干涉對比缺陷的形成。

來源：國家知識產權局

硅是一種非常優秀的半導體材料，其帶隙為1.12 eV，適中且適合多數電子器件的工作需求。硅的電子遷移率和空穴遷移率也較為理想，適合制造高性能的芯片。此外，硅能夠通過直拉法和區熔法等工藝制備出高質量的大尺寸單晶。

來源：奕斯偉材料官網

硅片表面拋光是半導體制造中的一項關鍵工藝，旨在通過去除硅片表面的微缺陷、應力損傷層以及金屬離子等雜質污染，達到極高的表面平整度和粗糙度要求，從而滿足微電子（IC）器件的制備需求。

為了滿足線寬小于0.13μm至28nm的IC芯片電路工藝對直徑300mm硅拋光片的高質量要求，進一步減少硅片表面的金屬離子等雜質污染，并確保硅片表面具有極高的表面納米形貌特性，最終拋光（精拋光加工）成為不可或缺的關鍵步驟。

奕斯偉材料公開涉及一種用于最終拋光工藝的處理方法和拋光晶圓。用于最終拋光工藝的處理方法包括：使用第一拋光液對晶圓進行第一拋光；使用第二拋光液對經過第一拋光的晶圓進行第二拋光；以及使用第三拋光液對經過第二拋光的晶圓進行第三拋光，其中，第一拋光液和第二拋光液均添加有堿性添加劑，并且第三拋光液不添加堿性添加劑。通過本次公開的用于最終拋光工藝的處理方法，能夠在對晶圓表面進行前序工藝損傷去除和鏡面化修復的同時減少微分干涉對比缺陷的形成。

來源：國家知識產權局

奕斯偉材料是一家12英寸電子級硅片產品及服務提供商，主要從事12英寸硅單晶拋光片和外延片的研發、制造與銷售。產品廣泛應用于電子通訊、新能源汽車等領域所需要的存儲芯片、邏輯芯片、圖像傳感器、顯示驅動芯片及功率器件等。

來源：奕斯偉材料官網

公司在硅片技術、制造工藝等領域掌握數百項核心技術專利，擁有成熟量產能力，具備無缺陷晶體生長、高品質外延生長、硅片加工等自主關鍵技術，采用領先工藝及量測設備，對生產全過程進行高標準品質管控，產品在單晶品質、幾何形貌、顆粒及污染控制等方面均達到國際先進水平。奕斯偉材料依托在全球半導體領域具有豐富經驗的技術研發和經營管理團隊，奕斯偉材料穩步快速發展。目前在西安高新區已擁有兩座工廠，滿產后月產能將突破百萬片。

參考來源：

中國科學院半導體研究所、國家知識產權局、奕斯偉材料官網

（中國粉體網編輯整理/山林）

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