中國(guó)粉體網(wǎng)訊  化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）借助于拋光液中化學(xué)試劑的化學(xué)腐蝕和納米磨粒的機(jī)械磨削雙重耦合作用，可以在原子水平上實(shí)現(xiàn)材料的去除，可以在0.35μm及其以下尺寸器件上同時(shí)實(shí)現(xiàn)局部和全局平坦化，被廣泛應(yīng)用于光學(xué)元件、計(jì)算機(jī)硬盤(pán)、微機(jī)電系統(tǒng)、集成電路等領(lǐng)域。

CMP制程原理圖

在CMP過(guò)程中，拋光液(漿料)對(duì)拋光效果起到至關(guān)重要的影響，其主要作用是在晶片表面產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，所形成的反應(yīng)物再由磨料的機(jī)械摩擦作用去除。在化學(xué)成膜與機(jī)械去膜的交替過(guò)程中，通過(guò)化學(xué)與機(jī)械的共同作用從工件表面去除極薄的一層材料，最終實(shí)現(xiàn)晶片的超精密表面加工。CMP拋光液一般由去離子水、磨料以及pH調(diào)節(jié)劑、氧化劑、分散劑和表面活性劑等化學(xué)助劑等組成，有利于提升CMP的綜合效果。

浙江博來(lái)納潤(rùn)電子材料有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“博來(lái)納潤(rùn)”）專(zhuān)注于為泛半導(dǎo)體行業(yè)平坦化材料提供整體解決方案，致力于電子級(jí)納米氧化硅磨料、泛半導(dǎo)體用CMP拋光液、拋光墊等產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，為半導(dǎo)體襯底等材料的納米級(jí)平坦化提供工藝材料整體解決方案。

公司主要產(chǎn)品包括硅溶膠、拋光液、拋光墊，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋碳化硅襯底CMP制程、硅襯底CMP制程、集成電路CMP制程、其他泛半導(dǎo)體材料CMP制程。

公司本次推出多款拋光液，具備不同性能特點(diǎn)。

來(lái)源：博來(lái)納潤(rùn)

該產(chǎn)品線覆蓋6寸、8寸、12寸硅片的拋光需求，產(chǎn)品具備優(yōu)異的去除速率、循環(huán)穩(wěn)定性、儲(chǔ)存穩(wěn)定性和拋光后低金屬離子殘留等優(yōu)勢(shì)；并且拋光液中最重要的成分——硅溶膠研磨顆粒，全部使用自產(chǎn)硅溶膠，既能保障供應(yīng)鏈的安全性，又能使產(chǎn)品在市場(chǎng)推廣中具備成本優(yōu)勢(shì)。

參考來(lái)源：

1.中國(guó)粉體網(wǎng)、博來(lái)納潤(rùn)

2.曹威等，化學(xué)機(jī)械拋光墊的研究進(jìn)展

3.嚴(yán)嘉勝等，硅晶片化學(xué)機(jī)械拋光液的研究進(jìn)展

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山林）

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