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華為海思入局SiC領域，推出兩款SiC器件

近期，華為旗下海思技術有限公司進軍碳化硅功率器件領域，首批推出兩款TO-247封裝1200V SiC單管，面相工業高溫、高壓場景場景。兩款產品具備優良的導通和快速開關特性，能夠在高溫高壓環境下保持穩定性能。

新增兩家12英寸SiC新玩家

7月23日，浙江晶越半導體有限公司宣布已成功研制出高品質12英寸SiC晶錠，這標志晶越成功進入12英寸SiC襯底梯隊。同日，山西天成半導體材料有限公司也宣布成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅單晶材料。

天域半導體更新招股書！1-5月SiC營收2.57億

7月22日，廣東天域半導體股份有限公司再次向香港聯合交易所提交上市申請，同時更新了招股說明書。招股書中更新公司營收情況，2025年前五個月天域半導體的營收約為2.57億元，其中外延片收入占各年度/期間總收入的87.4%。

兩家國際巨頭聯手碳化硅合作！

7月24日，安森美宣布其碳化硅功率器件EliteSiC將應用于舍弗勒為某全球整車廠打造的插電式混合動力（PHEV）平臺。此次合作采用的是安森美最新一代基于溝槽結構的SiC MOSFET，安森美將為該平臺提供獨家器件供應。

碳化硅領域重大并購

近59億，芯聯集成即將完成對于芯聯越州的100%控股，通過本次交易芯聯集成將重點支持SiCMOSFET、高壓模擬IC等更高技術產品和業務的發展。

爍科晶體年產100萬毫米碳化硅單晶項目正式啟動

7月30日，中電科半導體材料有限公司所屬山西爍科晶體有限公司年產100萬毫米碳化硅單晶項目在山西太原正式啟動。項目投產后，將新增100萬毫米碳化硅單晶和30萬片碳化硅襯底的產能，并快速實現8英寸碳化硅襯底的產業化和12英寸碳化硅襯底的工程化應用。

全球新增一座SiC新工廠

7月28日，美國Coherent越南工廠正式落成。這座投資1.27億美元的高科技制造工廠將主要生產SiC半導體、光學玻璃以及先進光電元件，廣泛應用于智能手機、電動汽車等領域。

天岳先進SiC襯底產品供應日本市場

7月29日，天岳先進宣布已經開始向日本市場批量供應碳化硅襯底材料。日本工業新聞報道指出，曾經日本、歐洲的半導體廠家多采用中國以外的襯底材料，而如今既有價格優勢又有質量優勢的中國襯底將進一步擴大市場占有率。

江蘇集芯首枚8英寸液相法碳化硅單晶研制成功

據徐州日報報道，近日，江蘇集芯先進材料有限公司成功出爐首枚8英寸液相法高質量碳化硅單晶。據了解，江蘇集芯在6/8英寸物理氣相傳輸法已實現量產的基礎上，僅用半年便完成液相法工藝從6英寸到8英寸的研發跨越。

投資300億 ！英飛凌建全球最大碳化硅半導體廠

近期，媒體報道英飛凌已經落實在馬來西亞300億令吉（約合人民幣504.8億元）額外投資，在吉打居林高科技工業園建設全球最大8英寸碳化硅功率半導體工廠，為汽車、綠色工業電力和電源等領域提供助力。

（中國粉體網編輯整理/空青）

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