中國粉體網訊 日前，浙江省經濟和信息化廳正式發布《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2025年版）》（公示稿）。
該目錄中有陶瓷基板、半導體陶瓷部件、特種陶瓷高端應用、先進陶瓷輔料等多項先進陶瓷材料入列，明確關鍵性能指標，劃定核心應用領域。
半導體陶瓷零部件：大尺寸、高強度
1）半導體刻蝕設備用大尺寸氧化鋁陶瓷
性能要求：純度＞99.5%，抗折強度＞350MPa，維氏硬度＞16GPa，介電強度>15KV/mm。
應用領域：電子、半導體制造。
2）大尺寸半導體級氧化鋁精密陶瓷
性能要求：純度≥99.9 %，體積電阻率≥1×1014Ω·cm（20℃），熱傳導率≥32W/m·K，單片燒結成型尺寸≥2000mm×500mm×50mm，單片燒結成型尺寸公差±0.01mm，抗彎強度≥400MPa。
應用領域：半導體封裝、半導體制造設備、微電子與光電子。
3）CVD碳化硅陶瓷材料
性能要求：密度≥3.18g/cm3，電阻率≤1ohm-cm，總雜質＜2ppm，熱導率≥260W/m·K，彎曲強度≥590MPa。
應用領域：半導體制造、新能源、電力電子、航空航天。
功率半導體封裝領域：高導熱
1）高導熱氮化硅陶瓷基片
性能要求：熱導率90W/m·K，室溫電阻率1014-1015Ω·cm，樣品尺寸190mm*138mm*（0.25-0.32）mm，表面粗糙度≤0.2μm，表面翹曲度<0.1%，抗彎強度≥700MPa，介電強度≥15kV/mm。
應用領域：功率器件。
2）高可靠性封裝陶瓷
性能要求：陶瓷抗彎強度≥400MPa，金屬漿與陶瓷結合力≥100N/mm2，內部線路精度≤0.1mm。
應用領域：半導體封裝。
3）高精度氮化鋁芯片封裝件
性能要求：氮化鋁陶瓷純度＞99.8%，密度>3.2g/cm3，熱導率≥180W/m·K，抗彎強度≥365MPa，電阻率≥1014Ω·cm，硬度≥1005HV5。
應用領域：半導體封裝。
4）第三代功率半導體封裝用AMB陶瓷覆銅基板
性能要求：空洞率≤0.1%（C-SAM，分辨率50μm），剝離強度≥15N/mm，冷熱沖擊壽命≥5000cycle，可焊性≥95%，剪切力≥1200gf。
應用領域：新能源車、軌道交通、智能電網、電子電控、航天電子。
高技術陶瓷：應用領域多元化
1）TiCN基金屬陶瓷高端數控刀片
性能要求：維氏硬度HV30≥1700kg/mm2，抗彎強度≥1800MPa，斷裂韌性≥11MPa·m1/2。
應用領域：零件加工。
2）高密度、高抗熱震性能冶金滑板用氧化鋯陶瓷
性能要求：體積密度為5.25~5.40g/cm3，耐壓強度為 300~450MPa，單斜相為65~75vol%，穩定相為25~35vol%。
應用領域：鋼鐵冶金。
3）陶瓷化防火隔熱材料
性能要求：材料在1500℃氧乙炔火焰沖擊下，30min不燒穿不開裂，阻燃等級達到UL94-V0、HB，抗拉強度≥20MPa，導熱系數＜0.03W/mk，溫度范圍-80-1800℃。
應用領域：新能源汽車電池包。
4）大直徑高強度碳化硅陶瓷密封環
性能要求：密度≥3.10g/cm3，彈性模量≥400GPa，三點抗彎強度≥400MPa，硬度HRA≥92，抗壓強度≥2000MPa。
應用領域：機械、石油、化工、汽車、核電、船舶、軍工裝備、航空航天。
5）高性能陶瓷膜
性能要求：孔徑5~200µm，氣孔率≥40%，抗折強度≥50MPa，耐酸堿性≥99.5%，最大工作壓力≥20MPa，最高工作溫度1000℃，過濾精度40nm，純水通量（20℃）1500L/（m2·h·bar）。
應用領域：水處理。
6）超高溫陶瓷基復合材料
性能要求：1600℃拉伸強度≥100MPa，耐溫性能≥1800℃，滿足2MW/m2以上熱流環境下1500s零燒蝕或微燒蝕的要求，密度2.1~2.4g/cm3。
應用領域：航空航天。
7）高模量C/SiC陶瓷基復合材料
性能要求：比模量（面內xy，RT）≥65GPa/（g·cm-3），熱膨脹系數（面內xy，10~30℃）1.0×10-6/K，熱導率（面內xy，10~30℃）≥20W/mK，拉伸強度（面內xy，RT）≥200MPa，彎曲強度（面內xy，RT）≥350MPa，壓縮強度（面內xy，RT）≥300MPa，剪切強度（面內xy，RT）≥80MPa。
應用領域：航空航天、國防裝備、深空探測、精密制造。
8）等離子體噴涂陶瓷靶材
性能要求：純度≥99.7%，成分ZnO:SnO2=52±2:48±2（wt%），密度≥5.4g/cm3，電阻率≤0.5Ω·cm。
應用領域：太陽能電池、汽車鍍膜、Low-E 玻璃、電子顯示、光學鍍膜。
9）5G通訊用微晶玻璃
性能要求：斷裂韌性1.38MPa·m1/2，介電損耗0.006（2.46GHz），跌落高度≥2000mm（t=0.68mm，負重50g），維氏硬度≥8.6GPa，介電損耗0.006（2.46GHz）。雙85測試（溫度85℃、相對濕度85%、測試時間1000h）：老化后抗沖擊/抗彎強度衰減≤1%，疏油層完整性、摩擦系數變化≤1%，透光率衰減≤0.5%，抗彎強度衰減≤1%，透光率衰減≤0.5%。
應用領域：顯示蓋板。
10）超高精密納米氧化鋯
性能要求：表面硬度>1200H，密度>6g/cm3，晶粒尺寸≤500nm，吸水率≤0.01%，燒濕比0.5~1.5 wt%（1000℃，2h）。
應用領域：光纖通信、量子通信、醫療檢測。
先進陶瓷用輔料
1）MLCC內電極用200nm及以下高端成品鎳粉
性能要求：粒徑150-200nm，比表面積5-6.1m2/g，主要雜質含量：Fe＜100ppm，Ca＜100ppm，Zr＜100ppm，Al＜100ppm，Mg＜100ppm，Si＜100ppm。
應用領域：新能源汽車、消費電子、通訊及工業電子行業。
2）第三代半導體用AgCuTi 活性釬料
性能要求：Ti含量2±0.2%，熔化溫度780-800℃，氧含量≤300ppm，粒度分布D90≤35μm，釬料粘度170±5Pa•s，氮化硅陶瓷覆銅基板剝離強度≥10N/mm。
應用領域：第三代半導體封裝。
來源：浙江省經濟和信息化廳官網
（中國粉體網編輯整理/空青）
注：圖片非商業用途，存在侵權告知刪除
