中國粉體網訊  2025年8月21日，由中國粉體網主辦的“第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會”在蘇州·白金漢爵大酒店成功召開！大會期間，中國粉體網邀請到多位業內專家學者做客“對話”欄目暢談碳化硅半導體前沿技術、裝備與產業化進展，共同展望了這一戰略性材料的無限潛能。本期是對常州臻晶半導體有限公司銷售總監蔣志強的專訪。

中國粉體網：蔣總，請您介紹一下常州臻晶半導體有限公司。

蔣總：我們常州臻晶半導體有限公司是在2020年成立的，是國內最早的專注于液相法產業化的公司。我們現在主要的研究方向就是碳化硅晶體的液相法生長技術，以及相關的設備研發、生產和制造。

中國粉體網：請問蔣總，傳統的物理氣相傳輸法生長碳化硅單晶有哪些局限性？

蔣總：我是這樣認為的，首先我們不能說它有很強的局限性，因為經過這么多年的發展，氣相法其實已經非常成熟了。只能說它現在的發展狀況沒有辦法去應對當前碳化硅市場極度內卷的局面。所以我們現在就需要去實現一些新的突破，比如說長晶厚度的提高，晶體良率的提升等。

中國粉體網：相比PVT法，液相法生長碳化硅單晶的優勢體現在哪些方面？

蔣總：應該說液相法是在現在市場極度內卷下催生出來的一個技術需求。在優勢方面，首先我們可以實現長晶厚度的突破，比如說現在PVT法晶體應該是在2厘米左右，目前我們在研發階段已經突破了這個厚度，而且我們未來的預期它可以更厚，比如達到6厘米。第二就是在工藝足夠成熟的前提下，我們的生產成本會低很多，在原材料、熱場等各方面的成本都會降低很多，還有就是我們在降低缺陷密度方面也有較大的優勢。

中國粉體網：當前液相法面臨的技術挑戰有哪些？

蔣總：比如說助溶劑的包裹問題，還有金屬沾污問題，再有就是我們怎么去實現厚度的突破、如何降低缺陷密度以及金屬殘留和摻雜的均勻性等問題。

中國粉體網：臻晶半導體在液相法生長碳化硅單晶方面進展如何，取得了哪些成果？

蔣總：我們從開始研發到現在已歷經多年，現在也取得了一些還算可觀的成果，在國內我們的成果也算是比較領先的。

首先就是我們的長晶，現在我們可以對外提供一個5毫米的長晶工藝包的出售。當前國內愿意這樣做或者說能夠這樣做的企業還是比較少的。第二就是我們自己本身可以達到比這個工藝包更好的一個程度，比如說2厘米以上長晶厚度。而且從檢測結果來說，我們的缺陷密度也是可以降得很低的。還有就是我們現在基本上已經實現了單晶爐、熱場、助溶劑等整個體系固定。未來我們更多地就是去把這個工藝再進一步優化。

（中國粉體網/山川）

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