推薦又一突破！天成半導體成功研制12英寸高純半絕緣單晶材料

中國粉體網訊近日，山西天成半導體材料有限公司宣布重大技術突破：繼第二季度研制出12英寸N型碳化硅單晶材料后，又依托自主研發的12英寸碳化硅長晶設備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，12英寸N型碳化硅單晶材料晶體有效[更多]