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SiC單晶

推薦SiC晶體外延生長的“奧秘”

中國粉體網訊 與傳統硅功率器件制作工藝不同，SiC功率器件不能直接制作在SiC單晶材料上，必須在導通型SiC單晶襯底上使用外延技術生長出高質量的外延材料，然后在外延層上制造各類器件。之所以不直接在SiC襯底上制造SiC器件，[更多]

資訊 SiC單晶第三代半導體SiC器件SiC外延技術SiC外延片
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