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液相法SiC長晶

推薦液相法SiC有何最新進展?

中國粉體網(wǎng)訊 目前SiC單晶的生長方法主要包括以下三種:物理氣相傳輸法、高溫化學氣相沉積法、液相法。70年代PVT法的技術(shù)突破,液相法逐漸被邊緣化。如今,由于PVT法在制造大尺寸SiC晶體和降低成本方面遇到挑戰(zhàn),液相法重新引[更多]

資訊 SiC單晶第三代半導體半導體材料液相法SiC長晶李輝
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