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單晶襯底

推薦天岳先進:公司已具備8英寸碳化硅襯底量產能力

中國粉體網訊 近年來,隨著5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長,硅基半導體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯,如何在提升功率的同時限制體積、發熱和成本的快速膨脹成為了半導體產業內重點關注的問題。碳化硅作為一種寬禁帶[更多]

資訊 碳化硅單晶襯底8英寸天岳先進液相法
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