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液相法

推薦液相法：碳化硅晶體生長(zhǎng)的“破局者”

中國(guó)粉體網(wǎng)訊 物理氣相輸運(yùn)法（PVT）是產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用中最為常見的SiC單晶生長(zhǎng)方法，但這一方法在生長(zhǎng)p型4H-SiC和立方SiC（3C-SiC）單晶方面存在顯著難度。PVT法的局限性使得在特定應(yīng)用下，如高頻、高壓、大功率IGB[更多]

資訊 液相法第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底碳化硅長(zhǎng)晶技術(shù)陸敏
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