推薦液相法：碳化硅晶體生長的“破局者”

中國粉體網訊 物理氣相輸運法（PVT）是產業化應用中最為常見的SiC單晶生長方法，但這一方法在生長p型4H-SiC和立方SiC（3C-SiC）單晶方面存在顯著難度。PVT法的局限性使得在特定應用下，如高頻、高壓、大功率IGB[更多]