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碳化硅長晶技術(shù)

推薦SiC單晶生長:三大方法優(yōu)劣全解析

中國粉體網(wǎng)訊 目前,主流的碳化硅長晶技術(shù)主要包括物理氣相沉積法(PVT)、液相生長法(LPE)、高溫化學氣相沉積法(HTCVD)。物理氣相沉積法(PVT)PVT法生長SiC單晶涉及許多復(fù)雜的過程,其工作原理是通過感應(yīng)線圈將坩[更多]

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