中國粉體網訊 與第一代、第二代半導體材料相比，碳化硅半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等特性，以優異的物理性能，突破了傳統半導體材料的發展瓶頸，可以滿足現代電子技術對高溫、高壓、高頻、高功率以及[更多]
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