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碳化硅外延片

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中國(guó)粉體網(wǎng)訊 與第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比,碳化硅半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等特性,以優(yōu)異的物理性能,突破了傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸,可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高壓、高頻、高功率以及[更多]

資訊 碳化硅外延片半導(dǎo)體材料瀚天天成廣東天域普興電子
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