中國粉體網訊 在5G/6G通信、毫米波雷達（24GHz以上）及AI算力芯片等高端應用需求持續攀升的當下，集成無源器件（IPD）技術正成為支撐這些領域發展的關鍵環節。IPD技術廣泛應用于濾波器、雙工器、功分器、衰減器、耦合器等核心無源元件，而器件性能的提升離不開優質基板材料的支撐。相較于傳統硅基板，玻璃基板憑借低介電損耗、高熱穩定性、高電阻率、可調熱膨脹系數等卓越特性，為無源器件實現更高性能、更高集成度提供了理想平臺，也為相關技術突破奠定了材料基礎。
云天半導體作為深耕玻璃通孔（TGV）技術領域的領軍企業，憑借在該領域的持續深耕與創新突破，專注于TGV及其相關工藝的迭代升級，成功研發推出了覆蓋廣泛應用場景的玻璃基IPD器件，為5G/6G通信、毫米波雷達、高速互聯等前沿應用提供了核心無源解決方案，填補了國內高端無源器件領域的多項技術空白。
2D、3D玻璃基IPD 來源：云天半導體
近期，云天半導體與廈門大學展開深度合作，聯合研發的毫米波無源器件取得了優異的測試成果，一舉突破了設計及制程工藝的多重限制。在8英寸玻璃晶圓上，成功集成了24種不同結構、不同尺寸的無源器件，涵蓋傳輸線、濾波器、諧振環等多種類型。這些器件根據自身獨特的結構設計，展現出差異化的卓越性能，工作頻段橫跨5GHz至90GHz，不僅能滿足Sub-6GHz頻段的應用需求，還可適配毫米波乃至更高頻段的使用場景，為不同領域的應用提供了靈活且高效的選擇。
雙頻濾波器S21、S11曲線 來源：云天半導體
更為關鍵的是，該產品最終的測試結果仿真結果數據基本一致，充分驗證了技術的可靠性與穩定性。在性能表現上，其展現出卓越的傳輸性能，具備低插入損耗優勢；同時擁有精準的濾波特性，高選擇性特點顯著。以雙頻濾波器為例，從S參數對比圖可清晰看出，雙頻帶中心頻率分別精準定位在16.65GHz與25.85GHz，而插入損耗僅為1.32dB與1.36dB，即便在三倍頻處，仍能實現20dB以上的帶外抑制，充分體現出良好的帶通濾波性能與高帶外抑制能力。在尺寸與性能平衡方面，該雙頻濾波器同樣表現亮眼，器件面積僅為0.267λ*0.222λ，在保持小巧尺寸的同時，3dB分數帶寬分別達到21.38%與15.24%，矩形系數分別為1.53與1.50，實現了小尺寸與高選擇比的完美兼顧，為設備的小型化、高集成化發展提供了有力支持。
除了技術與性能上的突破，云天半導體的玻璃基IPD技術在產能與良率方面也實現了快速爬升，這一成果不僅大幅提升了企業自身的市場競爭力，更有力推進了高端無源器件的國產化進程。
未來，隨著5G/6G通信技術的加速普及、毫米波雷達在智能駕駛等領域的廣泛應用以及AI算力需求的持續增長，玻璃基IPD技術的市場需求將進一步擴大。云天半導體有望憑借其在該領域的技術積累與先發優勢，持續推動技術創新與產品迭代，為我國高端制造業的自主可控與全球競爭力提升貢獻更多力量。
參考來源:
云天半導體官網
(中國粉體網編輯整理/月明)
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