中國粉體網訊  近日，山西天成半導體材料有限公司宣布重大技術突破：繼第二季度研制出12英寸N型碳化硅單晶材料后，又依托自主研發的12英寸碳化硅長晶設備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，12英寸N型碳化硅單晶材料晶體有效厚度突破35mm厚，標志著公司在大尺寸碳化硅材料領域的技術實力再上新臺階。

來源：天成半導體

目前，天成半導體已完全掌握12英寸高純半絕緣與N型碳化硅單晶生長的雙成熟工藝，且其自研長晶設備可穩定產出直徑達350mm的單晶材料。

作為第三代半導體的核心材料，碳化硅由碳、硅元素組成，具備高硬度、耐高壓、耐高頻、高熱導性、高溫穩定性及高折射率等優異物理化學性能，是推動多行業降本增效的關鍵材料。在應用場景中，碳化硅正加速推動半導體行業變革，同時在新能源汽車、充電樁、光伏儲能、數據中心服務器等領域實現快速滲透；在 AR 眼鏡等新興領域，其憑借高折射率與高熱導率兩大核心特性，還能系統性解決視場角窄、彩虹偽影及散熱難題，展現出高成長潛力。

公開資料顯示，山西天成半導體有限公司成立于2021年8月，是一家專注于第三代半導體碳化硅（SiC）襯底材料研發、生產及晶體生長裝備制造的高新技術企業。公司現已形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、碳化硅單晶生長和襯底制備等完整的生產線，公司不斷迭代產品工藝，在大尺寸、低成本量產方面實現關鍵技術突破，率先研發出可量產的8-12英寸導電型和半絕緣型碳化硅單晶材料。

天成半導體稱，公司將繼續聚焦大尺寸碳化硅單晶材料的產業化技術，以先進成熟的工藝能力為基石，致力于為客戶提供碳化硅材料生產中高品質、高可靠性的“裝備+耗材+工藝服務”一體化解決方案。

參考來源：天成半導體

（中國粉體網編輯整理/初末）

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