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精硅科技攻克超純石英砂技術:突破光刻產業鏈壟斷,筑牢國產化基石

精硅科技攻克超純石英砂技術:突破光刻產業鏈壟斷,筑牢國產化基石
精硅科技  2025-08-31  |  閱讀:368

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一、核心突破:打破海外壁壘,邁入國際一流

國內高純度石英材料領域近期迎來重大突破 —— 精硅科技依靠自主研發的高端再合成技術,實現了超高純石英砂的穩定量產。這一成果標志著我國在光刻級石英材料領域成功突破海外技術壁壘,正式邁入國際一流行列,為中國光刻產業鏈注入關鍵 強心劑

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二、關鍵背景:石英錠 —— 光刻機鏡頭的 隱形冠軍

光刻機是半導體制造中精度最高、成本最昂貴的核心設備,其分辨率直接決定芯片制程水平;而光刻機光學系統的核心部件 鏡頭,需滿足極高的透光性、熱穩定性和光學均勻性,普通玻璃完全無法勝任,超高純度合成石英錠是唯一選擇(尤其適配極紫外 EUV、深紫外 DUV 光刻機)。

這類石英錠對材料特性要求苛刻,具體包括:

純度極高:雜質總含量需低于 0.1ppm

缺陷極少:內含氣泡和內部缺陷需控制在極低水平;

熱穩定性極強:激光照射下熱膨脹系數近乎為零。

微量雜質或內部缺陷會導致光線散射、折射率變化,直接造成芯片制造良率下降甚至失敗。因此,作為石英錠源頭材料的超高純石英砂,其純度直接決定了最終光刻鏡頭的性能上限。

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三、技術路徑:從天然礦石到光刻級材料的提純邏輯

天然石英礦石含有大量金屬雜質(如鐵、鋰、鉀等)及內部缺陷,需通過復雜的物理 + 化學提純流程,才能達到光刻級純度。精硅科技構建了全鏈條技術體系,具體流程如下:

1源頭把控:依托自有石英礦山,對礦石進行嚴格分選與破碎,精準控制晶體粒徑,保障原料一致性;

2深度除雜:采用高溫氯化、酸浸清洗等工藝,深度去除礦石中的金屬雜質;

3再合成優化:通過高端再合成技術,在高溫高壓環境下讓高純硅源重新結晶,徹底消除內部氣泡與雜質分布不均問題。

圖片3.png 

四、成果落地:7N 純度量產 + 商業化驗證

作為國內少數具備超高純石英砂全鏈條生產能力的企業,精硅科技已實現兩大關鍵成果:

產能與純度突破:建成 10 萬噸級高純石英砂產能,并成功攻克 7N 純度(99.99999%)技術難關,關鍵雜質元素(FeKNa 等)含量降至 0.01ppm 以下;

商業化驗證通過:目前 7N 超純石英砂已實現批量供應,且在多家下游鏡頭制造企業、半導體設備廠商中完成驗證,性能比肩甚至超越國際主流廠商產品。

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五、行業意義:國產替代深水區的關鍵一步

此前,超高純石英砂長期被海外企業壟斷,是我國半導體產業鏈自主化進程中的 卡脖子環節。精硅科技此次實現 7N 級超高純石英砂的量產與商業化應用,具有兩大核心意義:

1筑牢材料基礎:為光刻機鏡頭國產化提供了關鍵原料支撐,填補了國內光刻級石英材料的產能與技術空白;

2提升全球競爭力:顯著增強國內在高端材料領域的全球話語權,推動半導體產業鏈自主化向 深水區邁進。

未來,隨著芯片制程持續微縮、光刻技術迭代升級,對石英材料的純度與性能要求將進一步提高。精硅科技已率先突破 7N 技術門檻,后續將繼續加碼研發與產能擴張,助力中國半導體產業實現從材料到設備的全方位自主可控。


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