中國粉體網訊  近日，博來納潤宣布，“年產18000噸納米氧化硅、34000噸半導體CMP拋光液和115萬平方米CMP拋光墊材料項目”已完成第一階段項目封頂。

化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）技術被譽為是當今時代能實現集成電路（IC）制造中晶圓表面全局平坦化的目前唯一技術，化學機械拋光的效果直接影響到芯片最終的質量和成品率。CMP通過拋光液中化學試劑的化學腐蝕和機械磨削的雙重耦合作用，在原子水平上去除表面缺陷，獲得全局平坦化表面，拋光墊在CMP過程中起到了儲存拋光液、輸送拋光液、排出廢物、傳遞加工載荷、保證拋光過程平穩進行等作用。

CMP工藝  來源：何潮等，半導體材料CMP過程中磨料的研究進展

浙江博來納潤電子材料有限公司專注于為泛半導體行業平坦化材料提供整體解決方案，致力于電子級納米氧化硅磨料、泛半導體用CMP拋光液、拋光墊等產品的技術研發和產業化，為半導體襯底等材料的納米級平坦化提供工藝材料整體解決方案。公司擁有10余年的CMP研發和產業化基礎，主要產品包括硅溶膠、拋光液、拋光墊，應用領域涵蓋碳化硅襯底CMP制程、硅襯底CMP制程、集成電路CMP制程、其他泛半導體材料CMP制程。

2023年9月20日上午，博來納潤“年產18000噸納米氧化硅、34000噸半導體CMP拋光液和115萬平方米CMP拋光墊材料項目”開工奠基儀式在智造新城高新片區舉行，項目進入施工建設階段。博來納潤董事長、總經理張澤芳博士表示，該項目是博來納潤在國內實現“為泛半導體行業的平坦化工藝提供材料整體解決方案”戰略落地的重要一環，也是作為應對CMP材料被進口“卡脖子”，實現CMP材料國產化最重要的一步。

項目分兩期實施，其中，一期總投資計劃約4.54億元，以租賃廠房過渡結合同步購置土地的形式，建設年產6000噸納米氧化硅、14000噸半導體CMP拋光液和55萬平方米CMP拋光墊材料項目；項目二期總投資計劃約7.24億元，建設年產12000噸納米氧化硅、20000噸半導體CMP拋光液和60萬平方米CMP拋光墊材料項目。

來源：博來納潤官網

近日，公司宣布，該項目已完成第一階段項目封頂。

參考來源：

[1] 燕禾等，化學機械拋光技術研究現狀及發展趨勢

[2] 嚴嘉勝等，硅晶片化學機械拋光液的研究進展

[3] 曹威等，化學機械拋光墊的研究進展

[4] 何潮等，半導體材料CMP過程中磨料的研究進展

[5] 浙江投促、博來納潤官網

（中國粉體網編輯整理/山林）

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