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?近日，2025 年諾貝爾化學(xué)獎公布，授予北川進（Susumu Kitagawa）、理查德·羅布森（Richard Robson）和奧馬爾·亞吉（Omar Yaghi），以表彰“他們對金屬-有機框架的發(fā)展”。三位獲獎?wù)邉?chuàng)造了一種具有巨大空間的分子結(jié)構(gòu)，使氣體和其他化學(xué)物質(zhì)能夠在其中流動。這些結(jié)構(gòu)被稱為

?1.背景與氮氣（動力學(xué)直徑0.36 nm）和氬氣（動力學(xué)直徑0.34 nm）相比，二氧化碳分子具有更小的動力學(xué)直徑（約0.33 nm），能夠更有效地進入超微孔結(jié)構(gòu)（孔徑<0.7 nm），獲取更為精確的微孔信息。這一特性使CO?成為研究活性炭、分子篩、金屬有機框架材料（MOFs）等微孔發(fā)達材料的

?等量吸附熱（Isosteric heat of adsorption）是表征材料表面非均質(zhì)性的關(guān)鍵參數(shù)，可揭示吸附劑特性及其吸附能力。它不僅能反映吸附質(zhì)與孔壁相互作用的強弱，還能為碳捕集與封存（CCS）等應(yīng)用提供更可靠的性能判斷。01如何測定以國儀量子微孔分析儀Sicope40為例，為獲取該參數(shù)，測

?在"雙碳"戰(zhàn)略目標(biāo)引領(lǐng)和產(chǎn)業(yè)升級需求的雙重驅(qū)動下，我國氧化鋁行業(yè)正處于從"規(guī)模擴張"向"質(zhì)量提升"轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時期。氧化鋁作為鋁工業(yè)的核心原料和重要的戰(zhàn)略性礦產(chǎn)資源，不僅承擔(dān)著支撐電解鋁生產(chǎn)的基礎(chǔ)功能，更在新能源材料、高端陶瓷、催化環(huán)保等新興

?在鈉離子電池大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的進程中，硬碳因儲量豐富、成本低、導(dǎo)電性良好、儲鈉容量高、環(huán)境友好和低氧化還原電位等優(yōu)點，被認(rèn)為是最可能率先實現(xiàn)工業(yè)化的鈉離子電池負(fù)極材料。但由于硬碳結(jié)構(gòu)復(fù)雜且具有多孔隙、較大的比表面積和缺陷，仍面臨著首次庫侖效率低、倍率性能差等問題。大量的研究表明，硬碳材料不同的孔結(jié)構(gòu)（超

?01什么是掃描NV探針顯微鏡（SNVM）？掃描NV探針顯微鏡（SNVM）是一款結(jié)合了金剛石氮-空位色心（NV）光探測磁共振（ODMR）技術(shù)和原子力顯微鏡（AFM）掃描成像技術(shù)的量子精密測量儀器，可實現(xiàn)對樣品高空間分辨率、高靈敏度、定量無損的磁成像。近年來，科學(xué)家利用SNVM在反鐵磁、石墨烯、磁性斯格

?背景熱對流效應(yīng)是低壓氣體系統(tǒng)中由溫度梯度引發(fā)的重要物理現(xiàn)象。考慮一個由細(xì)管連接兩個容器組成的封閉系統(tǒng)，兩個容器（編號為1和2）保持在不同溫度T?、T?下。當(dāng)系統(tǒng)中氣體壓力較高時，根據(jù)流體力學(xué)定律，系統(tǒng)中任何地方的壓力都相同。隨著壓力逐漸降低，當(dāng)連接管直徑d與氣體分子平均自由程λ達到相同數(shù)量級時，就進

?1.背景在材料科學(xué)的研究與應(yīng)用中，比表面積和孔徑分布是決定多孔材料性能的關(guān)鍵物理參數(shù)。對于微孔材料（<2 nm）和表面化學(xué)性質(zhì)特殊的材料（如石墨烯），傳統(tǒng)的氮氣吸附法可能不再適用，而氬氣（Ar）作為吸附質(zhì)的氣體吸附靜態(tài)容量法則展現(xiàn)出其獨特優(yōu)勢。值得一提的是，我國已于2023年10月1日實施了

?為突破傳統(tǒng)石墨負(fù)極性能瓶頸，硅基負(fù)極憑借 4200mAh/g 的理論比容量成為關(guān)鍵方向，化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)因可實現(xiàn)硅在碳基質(zhì)上均勻沉積、構(gòu)建穩(wěn)定硅碳界面，成為硅碳負(fù)極產(chǎn)業(yè)化核心工藝路線。多孔碳材料作為 CVD 硅碳負(fù)極的 “骨架核心”，其比表面積與孔隙結(jié)構(gòu)等性能直接影響復(fù)合材料電化學(xué)性能和產(chǎn)

?國儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測的應(yīng)用報告一、背景介紹 在芯片制造工藝中，金屬柵極刻蝕是構(gòu)建晶體管關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的重要環(huán)節(jié)。精確的刻蝕工藝能夠確保金屬柵極的尺寸精度和形狀完整性，對芯片的性能和可靠性起著決定性作用。然而，刻蝕過程中不可避免地會產(chǎn)生刻蝕殘留，這些殘留物質(zhì)可能是未完全刻蝕掉的金屬材料、刻

?國儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測的應(yīng)用報告一、背景介紹 隨著芯片集成度不斷攀升，芯片后道 Al 互連技術(shù)成為確保信號傳輸與芯片功能實現(xiàn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在芯片工作時，Al 互連導(dǎo)線中的電子持續(xù)流動，會對金屬原子產(chǎn)生作用力，引發(fā)電遷移現(xiàn)象。電遷移可能致使 Al 原子移動并聚集，進而在互連導(dǎo)線

?國儀量子電鏡在芯片鈍化層開裂失效分析的應(yīng)用報告一、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域，芯片鈍化層扮演著至關(guān)重要的角色。它作為芯片的 “防護鎧甲”，覆蓋在芯片表面，隔絕外界環(huán)境中的濕氣、雜質(zhì)以及機械應(yīng)力等不利因素，保障芯片內(nèi)部精密電路的穩(wěn)定運行。在消費電子設(shè)備，如智能手機和筆記本電腦中，芯片需長時間穩(wěn)定工作

?國儀量子電鏡在相變存儲器 GST 材料晶化率評估的應(yīng)用報告一、背景介紹 相變存儲器作為新一代存儲技術(shù)，憑借其高速讀寫、低功耗和高可靠性等優(yōu)勢，在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域備受關(guān)注。GST（鍺銻碲）材料是相變存儲器的核心存儲介質(zhì)，其晶化率對相變存儲器的性能起著決定性作用。晶化率不同，GST 材料的電阻值會發(fā)生顯著變

?國儀量子電鏡在銅互連電遷移空洞定位的應(yīng)用報告一、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域，隨著芯片集成度的不斷提升，芯片內(nèi)部的互連結(jié)構(gòu)對于確保高效、穩(wěn)定的信號傳輸至關(guān)重要。銅互連因其低電阻、高電導(dǎo)率以及良好的抗電遷移性能，成為現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路中互連材料的首選。在復(fù)雜的芯片電路中，銅互連負(fù)責(zé)連接各個晶體管和功

?國儀量子電鏡在砷化鎵微波器件界面位錯分析的應(yīng)用報告一、背景介紹在現(xiàn)代通信技術(shù)快速發(fā)展的浪潮中，砷化鎵（GaAs）微波器件憑借其卓越的高頻性能、高電子遷移率以及良好的抗輻射能力，成為實現(xiàn)高速、高效信號傳輸?shù)暮诵脑Ｔ?5G 乃至未來 6G 通信基站的射頻前端，GaAs 微波器件用于信號的發(fā)射與接收，

?國儀量子電鏡在柔性顯示基板 PI 膜皺褶分析的應(yīng)用報告一、背景介紹 柔性顯示技術(shù)作為當(dāng)前顯示領(lǐng)域的前沿方向，具有輕薄、可彎曲、便攜等優(yōu)勢，在可折疊手機、智能穿戴設(shè)備等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。聚酰亞胺（PI）膜因其優(yōu)異的機械性能、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性，成為柔性顯示基板的關(guān)鍵材料。然而，在 PI 膜的

?國儀量子電鏡在納米壓印模板殘留膠檢測的應(yīng)用報告一、背景介紹在半導(dǎo)體制造、微納光學(xué)以及生物醫(yī)學(xué)微器件制備等前沿領(lǐng)域，納米壓印技術(shù)憑借其能夠低成本、高分辨率地復(fù)制微納結(jié)構(gòu)的獨特優(yōu)勢，成為實現(xiàn)高精度圖案化的關(guān)鍵工藝。通過將具有特定微納圖案的模板壓印到涂覆有光刻膠或聚合物材料的基底上，經(jīng)固化后可精準(zhǔn)轉(zhuǎn)移圖案

?國儀量子電鏡在量子點發(fā)光層厚度均勻性測量的應(yīng)用報告一、背景介紹在現(xiàn)代顯示技術(shù)以及光電器件領(lǐng)域，量子點發(fā)光材料憑借其卓越的光學(xué)特性，如窄且對稱的發(fā)射光譜、高量子產(chǎn)率以及可通過尺寸精確調(diào)控發(fā)光波長等，成為實現(xiàn)高分辨率、高色彩飽和度顯示以及高性能光電器件的核心要素。在量子點發(fā)光二極管（QLED）顯示器中，

?國儀量子電鏡在藍(lán)寶石圖形化襯底（PSS）形貌分析的應(yīng)用報告一、背景介紹 在發(fā)光二極管（LED）制造領(lǐng)域，藍(lán)寶石圖形化襯底（PSS）技術(shù)是提升 LED 光提取效率的關(guān)鍵手段。通過在藍(lán)寶石襯底上制備特定的微觀圖形結(jié)構(gòu)，能夠有效減少光線在襯底內(nèi)部的全反射，增加光線出射，從而提高 LED 的發(fā)光效率。PSS

?國儀量子電鏡在芯片金屬遷移樹突生長監(jiān)測的應(yīng)用報告一、背景介紹 在現(xiàn)代芯片制造領(lǐng)域，隨著芯片集成度不斷提高、尺寸持續(xù)縮小，金屬遷移引發(fā)的問題愈發(fā)凸顯。芯片中的金屬導(dǎo)線在電流、溫度等因素作用下，金屬原子會發(fā)生遷移，進而形成樹突結(jié)構(gòu)。金屬遷移樹突生長一旦接觸到相鄰導(dǎo)線，就會造成短路，嚴(yán)重影響芯片的可靠性和

?國儀量子電鏡在晶圓背面研磨亞表面損傷評估的應(yīng)用報告一、背景介紹在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓作為基礎(chǔ)材料，其質(zhì)量直接關(guān)乎芯片的性能與成品率。隨著芯片制造工藝不斷向小型化、高性能化發(fā)展，對晶圓的質(zhì)量要求愈發(fā)嚴(yán)苛。背面研磨是晶圓制造過程中的關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)，通過去除晶圓背面多余的材料，實現(xiàn)晶圓減薄，滿足芯片封裝對

?國儀量子電鏡在硅外延層堆垛層錯密度統(tǒng)計的應(yīng)用報告一、背景介紹在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，硅外延層作為構(gòu)建高性能芯片的核心材料，其質(zhì)量優(yōu)劣直接關(guān)乎芯片的性能表現(xiàn)。硅外延生長技術(shù)通過在硅襯底上精確生長一層高質(zhì)量的硅晶體，能夠有效改善半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能，提升芯片的集成度與可靠性。在先進制程的芯片制造中，

?國儀量子電鏡在硅晶圓表面 CMP 劃痕檢測的應(yīng)用報告一、背景介紹在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，硅晶圓作為集成電路的基礎(chǔ)材料，其表面質(zhì)量對芯片的性能和成品率起著決定性作用。隨著芯片制造工藝不斷向更小的特征尺寸發(fā)展，對硅晶圓表面平整度和光潔度的要求愈發(fā)嚴(yán)苛。化學(xué)機械拋光（CMP）技術(shù)作為實現(xiàn)硅晶圓超精密表面加工的核

?國儀量子電鏡在硅基光子學(xué)波導(dǎo)側(cè)壁粗糙度測量的應(yīng)用報告一、背景介紹在光電子技術(shù)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，硅基光子學(xué)波導(dǎo)作為實現(xiàn)光信號高效傳輸與處理的核心元件，在光通信、光計算、生物醫(yī)學(xué)光子學(xué)等前沿領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。在高速光通信網(wǎng)絡(luò)中，硅基光子學(xué)波導(dǎo)能夠以極低的損耗傳輸光信號，實現(xiàn)信息的長距離、高帶寬傳輸

?國儀量子電鏡在硅穿孔（TSV）銅填充空洞檢測的應(yīng)用報告一、背景介紹 在半導(dǎo)體封裝技術(shù)持續(xù)演進的當(dāng)下，硅穿孔（TSV）技術(shù)憑借其能實現(xiàn)芯片間高效垂直互連、顯著提升集成度和性能的優(yōu)勢，成為先進封裝的關(guān)鍵技術(shù)，廣泛應(yīng)用于 3D 芯片堆疊、系統(tǒng)級封裝等領(lǐng)域。在 TSV 工藝中，銅填充是極為關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，高質(zhì)量

?國儀量子電鏡在光掩模缺陷修復(fù)質(zhì)量驗證的應(yīng)用報告一、背景介紹在半導(dǎo)體制造的光刻工藝中，光掩模作為圖案轉(zhuǎn)移的模板，其質(zhì)量直接決定了芯片上電路圖案的精度和完整性。隨著芯片制造工藝向更小的特征尺寸不斷推進，對光掩模的精度要求愈發(fā)嚴(yán)苛。哪怕是極其微小的缺陷，如灰塵顆粒、劃痕、圖案變形等，都可能在光刻過程中被放

?國儀量子電鏡在光模塊透鏡耦合對準(zhǔn)度評估的應(yīng)用報告一、背景介紹 在光通信技術(shù)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，光模塊作為實現(xiàn)光信號與電信號相互轉(zhuǎn)換的核心器件，其性能直接影響光通信系統(tǒng)的傳輸質(zhì)量與效率。透鏡耦合是光模塊中實現(xiàn)光源與光纖之間高效光傳輸?shù)年P(guān)鍵環(huán)節(jié)，透鏡耦合對準(zhǔn)度則是決定光耦合效率的關(guān)鍵因素。當(dāng)透鏡與光源、光纖

?國儀量子電鏡在光電子器件鍵合絲形變分析的應(yīng)用報告一、背景介紹在當(dāng)今數(shù)字化信息時代，光電子器件廣泛應(yīng)用于光通信、光傳感、消費電子等諸多領(lǐng)域，成為實現(xiàn)高效信息傳輸與處理的核心組件。在光通信系統(tǒng)中，光電子器件負(fù)責(zé)將電信號轉(zhuǎn)換為光信號進行傳輸，并在接收端將光信號還原為電信號，保障信息的高速、穩(wěn)定傳輸。在智能

?一、背景介紹在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，功率器件承擔(dān)著電能轉(zhuǎn)換與控制的關(guān)鍵任務(wù)，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、工業(yè)自動化等諸多領(lǐng)域。以新能源汽車為例，功率器件在逆變器中實現(xiàn)直流電到交流電的轉(zhuǎn)換，驅(qū)動電機運轉(zhuǎn)；在智能電網(wǎng)中，用于高效的電能分配與調(diào)節(jié)。溝槽柵結(jié)構(gòu)因能有效提高功率器件的開關(guān)速度、降低導(dǎo)通電阻，

?國儀量子電鏡在低 k 介質(zhì)材料孔隙率分析的應(yīng)用報告一、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域，隨著芯片集成度不斷提高，信號傳輸過程中的互連線電容問題日益凸顯。低 k 介質(zhì)材料因其具有較低的介電常數(shù)，能夠有效降低互連線之間的電容耦合，減少信號延遲和功耗，成為先進芯片制造中不可或缺的關(guān)鍵材料。在高性能處理器、存儲