中國粉體網訊  隨著大功率和超大規模集成電路的發展，集成電路和基片間散熱的重要性也越來越明顯。因此，基片必須要具有高的導熱率和電阻率。為滿足這一要求，國內外研究學者開發出了一系列高性能的陶瓷基片材料，其中主要包括：Al2O3、BeO、AlN、BN、Si3N4、SiC，但是氮化鋁是綜合性能最優良的新型先進陶瓷材料，被認為是新一代高集成度半導體基片和電子器件的理想封裝材料。同時，氮化鋁粉體也是提高高分子材料熱導率和力學性能的最佳添加料，如環氧樹脂中加入氮化鋁粉體可以明顯提高其熱導率，據中國粉體網編輯了解，目前氮化鋁的應用需求正在不斷飆升，因而受到國內外研究者的普遍關注。（圖片來源：廈門鉅瓷科技）一、氮化鋁陶瓷的優異性能目前，氮..【詳細】