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ALD薄膜沉積品牌
普諾遜產(chǎn)地
江蘇樣本
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ALD薄膜沉積
規(guī)格&簡(jiǎn)介
基底尺寸
6” wafer
應(yīng)用領(lǐng)域
AI203,Hf02,Zro2.
VOx、TiO2,
MoOx.
SiO2,AIN,SixNy等
暫無數(shù)據(jù)!
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