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HGL1151系列是集成了通用智能核心技術的半導體晶圓Low-K層開槽設備，全自動一站式加工，晶圓上料→預清洗+保護層涂布→激光開槽→后清洗+干燥→晶圓下料，所有工藝過程一氣呵成。產品全系采用高性能激光器及空間光整形系統，標配超高精密氣浮式高速加工平臺，切割過程實時監控··實時糾偏等功能，確保Low-K晶圓開槽的精度一致性和質量的穩定性。本產品的開槽精度高，槽形優異，尤其對熱影響區的控制達到國際**水準。主要技術性能達到國內**，部分技術性能超過國際同類產品，是全面替代進口開槽設備的**選擇。
Low-K激光開槽工藝優勢
? 非接觸加工、無物理應力、無晶圓碎裂風險
? 通過動態激光實時控制，工藝設置簡單靈活
①自由改變開槽寬度
②自由設置槽底平滑度
? 運用方便，運用成本低
①一次定位、一次清洗，
②工藝過程清潔
③無環境污染
④基本無耗材，運用成本極低
技術原理
? 運用高性能空間光整形技術按需調制輸出激光形態
①切割道兩側以極細的雙光束刻畫出邊界細槽
②以平頂多光束激光在邊界槽內側切割道開槽
? 運用高性能實時動態激光控制技術確保開槽精度
①實時控制激光束對槽壁垂直度的加工精度
②實時控制激光束對槽底平整度的加工精度
? 超快速脈沖激光束對Low-K材料進行精確去除
? 開槽周邊熱影響區控制在5μm以內
Low-K材料開槽工藝制程
? Low-k（低介電常數）材料是線寬制程低于 65nm 以下的高性能集成電路所必須的絕緣材料
? Low-K 材料機械特性脆弱，易碎
? Low-K 材料與 Si 系材料的附著力低，易剝離易分層
? 帶有 Low-K 層的半導體晶圓無法承受傳統刀輪切割的機械沖擊帶有 Low-K 材料的晶圓在切割前，需導入 Low-K 開槽工藝，以避免后續切割制程對 Low-K 材料層造成傷害
暫無數據！
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