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澤攸科技ZEL304G電子束光刻機(EBL)采用場發射電子槍,配合一體化的高速圖形發生系統實現對半導體晶圓的高速、高分辨光刻。該系統標配高精度激光干涉樣品臺,允許用戶實現大行程高精度拼接和套刻需求,在新材料、前沿物理研究、半導體、微電子、光子、量子研究領域發揮重要作用。
產品特色
▲ 激光干涉樣品臺:先進的激光干涉樣品臺,滿足大行程高精度拼接和套刻需求
▲ 場發射電子槍:高分辨場發射電子槍是光刻質量的重要保證
▲ 圖形發生器:在保證超高速掃描的同時實現超高分辨率圖案繪制
樣品臺指標
▲ 標配:激光干涉樣品臺
▲ 樣品臺行程:≥105 mm
▲ 拼接精度:優于50nm(平均值+ 1σ)
▲ 套刻精度:優于50nm(平均值+ 1σ)
電子槍及成像指標
▲ 肖特基場發射電子槍:加速電壓20V~30kV;旁側二次電子探測器和鏡筒內電子探測器
▲ 圖像分辨率:≤1 nm @ 15 kV;≤1.5 nm @ 1 kV
▲ 束流密度:> 7000A/cm2;電子束流≥100nA
▲ *小束斑尺寸:≤2nm
光刻指標
▲ 電子束閘:上升沿<100ns
▲ 寫視場:≥500×500 um
▲ *小單次曝光線寬:<15nm(同時取決于工藝條件)
▲ 掃描速度:≥20MHz
圖形發生器參數
▲ 控制核心:高性能FPGA
▲ 停留時間*小增量:10ns
▲ **掃描速度:50MHz
▲ 圖形文件格式:GDSII、DXF、BMP等
▲ D/A分辨率:20位
▲ 法拉第杯束流測量:包含
▲ 支持的寫場大?。?0um~500um
▲ 臨近效應校正:可選項
▲ 束閘支持:5V TTL
▲ 激光干涉位移臺:可選項
▲ 掃描方式:順序掃描(Z型)、循環掃描(S型)、螺旋型掃描等多種矢量掃描模式
▲ 曝光模式:支持場校準、場拼接,支持套刻,支持多圖層自動曝光
▲ 外接通道支持:支持電子束掃描、工件臺移動、束閘通斷、二次電子檢測
選配附件
▲ 配套UPS不間斷電源
▲ 配套主動減震臺,*低自然頻率2Hz
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