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| 加工晶棒直徑 | 4~8英寸 |
| 加工晶棒長度 | ≤500mm |
| 橢圓度 | ±0.01mm |
| 圓錐度 | ±0.015mm |
| 表面粗糙度 | ≤1μm |
| OF寬度頭尾偏差 | ±0.1mm |
| 晶向精度 | ≤±10' |
| V-NOTCH深度 | 1.00~1.25mm |
| V-NOTCH角度 | 89°~93° |
| 工作臺*小進給量 | 0.005mm |
| 磨架*小進給量 | 0.001mm |
| 直徑精度 | ±0.02mm |
| 工作臺往復速度 | 4-800mm/min連續可調 |
| 設備外形尺寸 | 3620x1800x2000mm |
| 設備總功率 | 20kW |
| 設備自重 | 4.5t |
可滿足4-8寸晶體加工
加工長度0-500mm
控制系統日本三菱
整機配備自動潤滑系統
外圓滾磨
測晶向角度
磨OF面
刻V-Notch巢
光潔度Ra0.8-1.00
橢圓度0.02/500mm
圓錐度±0.05/500mm
徑向精度±10'
硅
LT/LN
碳化硅
砷化鎵/磷化銦
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