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影響
當(dāng)氧存在于晶體硅中時(shí)，在后續(xù)的熱處理過(guò)程會(huì)使氧發(fā)生偏聚和沉淀，形成氧沉淀、氧施主等缺陷。
氮元素在硅材料中濃度超標(biāo)時(shí)會(huì)產(chǎn)生Si3N4顆粒，導(dǎo)致細(xì)晶的產(chǎn)生，進(jìn)而影響太陽(yáng)能電池的性能。
GDMS
氣體元素
GDMS靈敏度非常高，采用液氮制冷的方式，把離子源維持在低溫環(huán)境中，可以有效降低輝光放電室中的干擾分子，同時(shí)提高輝光放電的穩(wěn)定性，降低熱效應(yīng)所造成的基體效應(yīng)，GDMS擁有高真空度，可達(dá)1.0E-9mbar及以下，氣體背景非常低，氣體元素檢出限可以達(dá)到10個(gè) ppb級(jí)別。
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