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SAB6100是一款專為半導體及異質材料鍵合設計的研發型設備，采用常溫鍵合技術，在超高真空下實現材料表面原子級活化與直接鍵合，無需加熱即可形成高強度共價鍵。設備兼容全尺寸及不規則形狀樣品，可選配獨立鍍膜腔體，工藝穩定且產能高效。

• 全尺寸兼容鍵合

• 適用于不同尺寸樣品的鍵合需求，包含不規則形狀樣品；

• 冷泵超快抽真空

• 設備主腔體配備冷泵，實現快速超高真空環境，且有效減少水汽對鍵合的影響；

• 離子源活化與納米薄膜原位沉積

• 采用穩定離子源高效清潔表面氧化物及污染物，并可轟擊靶材實現納米級薄膜濺射沉積；

• 倒置防塵鍵合

• 樣品運動過程中鍵合面朝下，有效減少particle對鍵合的影響；

規格參數

• 項 目

  指 標

• 晶圓尺寸

  ≤12inch, 向下兼容不規則形狀樣品

• 適配材料

  Si, LT/LN, Sapphire, InP, SiC, GaAs, GaN, Diamond, Glass etc.

• 上料模式

  手動上料

• 加壓系統**壓力

  80kN

• 表面處理方式

  原位活化與濺射沉積

• 濺射靶材

  ≥3個，可旋轉

• 鍵合強度

  ≥2.5J/m2@常溫(Si-Si、玻璃-玻璃鍵合)