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設備特點
適用于4/6/8寸晶圓的先進封裝/chiplet 等工藝/SOI襯底減薄拋光工序
*厚可對應晶圓厚度在1800um(bonding wafer)
薄可將晶圓加工至10um, 同時保持TTV≤1.5um
可追加晶圓化學清洗模組，保證晶圓的表面潔凈度滿足fab工藝
可配置MES協議轉換模塊SECS/GEM標準配置
拋光部分終點檢測功能，精確控制*終厚度
Polish head支持3zone/5zone
可針對各類化合物半導體/第三代半導體的減薄/拋光
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