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鈣鈦礦太陽能電池蒸發設備ZHDS400品牌
北京泰科諾產地
北京樣本
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設備型號:ZHDS400
鍍膜方式:金屬 + 有機蒸發
真空腔室結構:SUS304 方箱式,配有前、后門
真空腔室尺寸:L400mmxW440mmxH450mm
加熱溫度:室溫-300℃(選配)
基片臺尺寸:抽屜式:220mmx220mm可旋轉、升降、水冷
膜厚不均勻性:≤±5.0%(120mmx120mm范圍內)
蒸發源:金屬 2 組 + 有機 4 組或更多,有機配溫控式加熱電源,金屬電源 (國產或進口)
晶振膜厚監控儀:國產或進口 多探頭可選
控制方式:PLC/PC 控制 ( 可選 )
占地面積:L2500mmxW1600mmxH1900mm( 不含手套箱 )
總功率:≥ 10kW 三相五線制
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磁控濺射設備的主要用途:1.功能性薄膜:具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜;2.裝飾領域:各種全反射膜及半透明膜等;3.微電子領域:在微電子領域作為一種非熱式鍍膜技術,主要應用在化學氣相沉積
什么是鈣鈦礦鈣鈦礦(perovskite),這個有點拗口的名字取自俄羅斯礦物學家Perovski,作為光伏材料的鈣鈦礦,實際上和鈣、鈦、礦三個字都沒太大關系,這是一類與鈣鈦礦(CaTiO3)晶體結構類
熱絲CVD采用高溫下的低壓氣相反應,碳氫化合物在高溫下發生化學反應,生成膜先驅物,當樣品溫度合適時,這些膜先驅物在樣品表面沉積形成金剛砂膜。低壓化學氣相沉積形成的膜層厚度及成分較為均勻,膜層致密。CV
在真空領域,衡量真空度的單位豐富多樣,各自有著獨特的起源與應用場景。真空的衡量標準(一)常用單位帕(Pa)作為國際單位制中壓力的基本單位,定義為 1 牛頓的力均勻而垂直地作用在 1 平方米的面積上所產
多晶硅和單晶硅都是半導體材料,是電子工業中非常重要的材料,但它們的制備工藝、物理性質以及應用領域有所不同。晶體是由原子、離子或分子在三維空間中按照一定的周期性排列而形成的固體。這種有序的排列賦予晶體特
原子層沉積(ALD)是一種能夠從氣相中沉積各種薄膜材料的技術。原子層沉積在新興的半導體和能源轉換技術中顯示出巨大的前景。基于連續的自限性反應,ALD在高縱橫比結構上提供了出色的保形性,在埃級的厚度控制