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面議型號
電阻蒸發鍍膜設備ZHD400品牌
北京泰科諾產地
北京樣本
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設備型號:ZHD400
鍍膜方式:多源蒸發鍍膜
真空腔室結構:立式方形前開門結構
真空腔室尺寸:L400mm×W440mm×H450mm
加熱溫度:室溫~ 300℃
基片臺尺寸:120mm×120mm
膜厚不均勻性:≤ ±5.0%
蒸發源:2-3 組金屬源 /2-3 組有機源
控制方式:PLC + 觸摸屏控制
占地面積:主機 L1710mm×W850mm×H1850mm
總功率:≥ 8kW
大專院校、科研院所及企業進行薄膜新材料的科研與小批量制備
1. 設備一體化設計,占地面積小,性價比高,性能穩定,使用維護成本低;
2. 設備配備多組蒸發源,兼容有機蒸發與無機蒸發 , 多源共蒸獲得復合膜。設計專業,功能強大,性能穩定;
3. 適用于實驗室制備金屬單質膜、半導體膜、有機膜,也可用于生產線前期工藝試驗等。
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磁控濺射設備的主要用途:1.功能性薄膜:具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜;2.裝飾領域:各種全反射膜及半透明膜等;3.微電子領域:在微電子領域作為一種非熱式鍍膜技術,主要應用在化學氣相沉積
什么是鈣鈦礦鈣鈦礦(perovskite),這個有點拗口的名字取自俄羅斯礦物學家Perovski,作為光伏材料的鈣鈦礦,實際上和鈣、鈦、礦三個字都沒太大關系,這是一類與鈣鈦礦(CaTiO3)晶體結構類
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在真空領域,衡量真空度的單位豐富多樣,各自有著獨特的起源與應用場景。真空的衡量標準(一)常用單位帕(Pa)作為國際單位制中壓力的基本單位,定義為 1 牛頓的力均勻而垂直地作用在 1 平方米的面積上所產
多晶硅和單晶硅都是半導體材料,是電子工業中非常重要的材料,但它們的制備工藝、物理性質以及應用領域有所不同。晶體是由原子、離子或分子在三維空間中按照一定的周期性排列而形成的固體。這種有序的排列賦予晶體特
原子層沉積(ALD)是一種能夠從氣相中沉積各種薄膜材料的技術。原子層沉積在新興的半導體和能源轉換技術中顯示出巨大的前景。基于連續的自限性反應,ALD在高縱橫比結構上提供了出色的保形性,在埃級的厚度控制