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電阻蒸發(fā)鍍膜設(shè)備ZHD400品牌
北京泰科諾產(chǎn)地
北京樣本
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設(shè)備型號(hào)：ZHD400
鍍膜方式：多源蒸發(fā)鍍膜
真空腔室結(jié)構(gòu)：立式方形前開門結(jié)構(gòu)
真空腔室尺寸：L400mm×W440mm×H450mm
加熱溫度：室溫～ 300℃
基片臺(tái)尺寸：120mm×120mm
膜厚不均勻性：≤ ±5.0%
蒸發(fā)源：2-3 組金屬源 /2-3 組有機(jī)源
控制方式：PLC + 觸摸屏控制
占地面積：主機(jī) L1710mm×W850mm×H1850mm
總功率：≥ 8kW
大專院校、科研院所及企業(yè)進(jìn)行薄膜新材料的科研與小批量制備
1. 設(shè)備一體化設(shè)計(jì)，占地面積小，性價(jià)比高，性能穩(wěn)定，使用維護(hù)成本低；
2. 設(shè)備配備多組蒸發(fā)源，兼容有機(jī)蒸發(fā)與無機(jī)蒸發(fā) , 多源共蒸獲得復(fù)合膜。設(shè)計(jì)專業(yè)，功能強(qiáng)大，性能穩(wěn)定；
3. 適用于實(shí)驗(yàn)室制備金屬單質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜、有機(jī)膜，也可用于生產(chǎn)線前期工藝試驗(yàn)等。
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磁控濺射設(shè)備的主要用途：1.功能性薄膜：具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜；2.裝飾領(lǐng)域：各種全反射膜及半透明膜等；3.微電子領(lǐng)域：在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積
什么是鈣鈦礦鈣鈦礦（perovskite），這個(gè)有點(diǎn)拗口的名字取自俄羅斯礦物學(xué)家Perovski，作為光伏材料的鈣鈦礦，實(shí)際上和鈣、鈦、礦三個(gè)字都沒太大關(guān)系，這是一類與鈣鈦礦（CaTiO3）晶體結(jié)構(gòu)類
熱絲CVD采用高溫下的低壓氣相反應(yīng)，碳?xì)浠衔镌诟邷叵掳l(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成膜先驅(qū)物，當(dāng)樣品溫度合適時(shí)，這些膜先驅(qū)物在樣品表面沉積形成金剛砂膜。低壓化學(xué)氣相沉積形成的膜層厚度及成分較為均勻，膜層致密。CV
在真空領(lǐng)域，衡量真空度的單位豐富多樣，各自有著獨(dú)特的起源與應(yīng)用場(chǎng)景。真空的衡量標(biāo)準(zhǔn)（一）常用單位帕（Pa）作為國(guó)際單位制中壓力的基本單位，定義為 1 牛頓的力均勻而垂直地作用在 1 平方米的面積上所產(chǎn)
多晶硅和單晶硅都是半導(dǎo)體材料，是電子工業(yè)中非常重要的材料，但它們的制備工藝、物理性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域有所不同。晶體是由原子、離子或分子在三維空間中按照一定的周期性排列而形成的固體。這種有序的排列賦予晶體特
原子層沉積（ALD）是一種能夠從氣相中沉積各種薄膜材料的技術(shù)。原子層沉積在新興的半導(dǎo)體和能源轉(zhuǎn)換技術(shù)中顯示出巨大的前景?；谶B續(xù)的自限性反應(yīng)，ALD在高縱橫比結(jié)構(gòu)上提供了出色的保形性，在埃級(jí)的厚度控制
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