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熱絲CVD金剛石膜沉積設(shè)備HF450品牌
北京泰科諾產(chǎn)地
北京樣本
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設(shè)備名稱:熱絲 CVD 金剛石膜沉積設(shè)備
設(shè)備型號:HF450
真空腔室結(jié)構(gòu):立式前開門結(jié)構(gòu),后置抽氣系統(tǒng),雙層水冷
真空腔室尺寸:Φ450mmxH500mm
真空系統(tǒng):復(fù)合分子泵高真空系統(tǒng)
基片臺尺寸:Φ100mm
襯底溫度:600 ~ 1100℃
電源:專用熱絲電源 400A, 恒流或恒功率模式
氣路控制:4 路氣體流量控制
控制方式:PLC 觸摸屏控制
占地面積:主機 L1200mm×W1060mm×H1900mm
總功率:≥ 20kW
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磁控濺射設(shè)備的主要用途:1.功能性薄膜:具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜;2.裝飾領(lǐng)域:各種全反射膜及半透明膜等;3.微電子領(lǐng)域:在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積
什么是鈣鈦礦鈣鈦礦(perovskite),這個有點拗口的名字取自俄羅斯礦物學(xué)家Perovski,作為光伏材料的鈣鈦礦,實際上和鈣、鈦、礦三個字都沒太大關(guān)系,這是一類與鈣鈦礦(CaTiO3)晶體結(jié)構(gòu)類
熱絲CVD采用高溫下的低壓氣相反應(yīng),碳氫化合物在高溫下發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成膜先驅(qū)物,當(dāng)樣品溫度合適時,這些膜先驅(qū)物在樣品表面沉積形成金剛砂膜。低壓化學(xué)氣相沉積形成的膜層厚度及成分較為均勻,膜層致密。CV
在真空領(lǐng)域,衡量真空度的單位豐富多樣,各自有著獨特的起源與應(yīng)用場景。真空的衡量標(biāo)準(zhǔn)(一)常用單位帕(Pa)作為國際單位制中壓力的基本單位,定義為 1 牛頓的力均勻而垂直地作用在 1 平方米的面積上所產(chǎn)
多晶硅和單晶硅都是半導(dǎo)體材料,是電子工業(yè)中非常重要的材料,但它們的制備工藝、物理性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域有所不同。晶體是由原子、離子或分子在三維空間中按照一定的周期性排列而形成的固體。這種有序的排列賦予晶體特
原子層沉積(ALD)是一種能夠從氣相中沉積各種薄膜材料的技術(shù)。原子層沉積在新興的半導(dǎo)體和能源轉(zhuǎn)換技術(shù)中顯示出巨大的前景。基于連續(xù)的自限性反應(yīng),ALD在高縱橫比結(jié)構(gòu)上提供了出色的保形性,在埃級的厚度控制