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高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備JCPY500品牌
北京泰科諾產(chǎn)地
北京樣本
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設(shè)備型號(hào)：JCPY500
真空腔室結(jié)構(gòu)：后置抽氣系統(tǒng)
真空腔室尺寸：Φ500mm×H450mm帶 Load-Lock 功能 支持單片或多片進(jìn)取樣
加熱溫度 ：室溫～ 500℃
基片臺(tái)尺寸：Φ150mm
膜厚不均勻性 ：Φ100mm 范圍內(nèi)≤ ±5.0%
濺射靶 ：Φ3、Φ4 英寸磁控靶 2-4 支（可選）
工藝氣體 ：3 路氣體流量控制
控制方式 ： PLC/PC（可選）
占地面積 （主機(jī)） ：L1800mm×W800mm×H1845mm
總功率 ：≥ 15kW
大專院校、科研院所及企業(yè)進(jìn)行薄膜新材料的科研與小批量制備
1. 可提供工藝技術(shù)支持，及良好售后服務(wù)；
2. 設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小，性價(jià)比高，性能穩(wěn)定，使用維護(hù)成本低；
3. 單靶濺射 / 多靶依次濺射或共同濺射，兼容 DC/MF/RF 濺射等功能 。
4. 可制備單層及多層金屬膜、介質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜、耐熱合金膜、硬質(zhì)膜、耐腐蝕摸、透明導(dǎo)電膜，如鈣鈦礦空穴傳輸層、金屬電極以及透明導(dǎo)電層ITO膜層的制備等”；
暫無數(shù)據(jù)！
磁控濺射設(shè)備的主要用途：1.功能性薄膜：具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜；2.裝飾領(lǐng)域：各種全反射膜及半透明膜等；3.微電子領(lǐng)域：在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積
什么是鈣鈦礦鈣鈦礦（perovskite），這個(gè)有點(diǎn)拗口的名字取自俄羅斯礦物學(xué)家Perovski，作為光伏材料的鈣鈦礦，實(shí)際上和鈣、鈦、礦三個(gè)字都沒太大關(guān)系，這是一類與鈣鈦礦（CaTiO3）晶體結(jié)構(gòu)類
熱絲CVD采用高溫下的低壓氣相反應(yīng)，碳?xì)浠衔镌诟邷叵掳l(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成膜先驅(qū)物，當(dāng)樣品溫度合適時(shí)，這些膜先驅(qū)物在樣品表面沉積形成金剛砂膜。低壓化學(xué)氣相沉積形成的膜層厚度及成分較為均勻，膜層致密。CV
在真空領(lǐng)域，衡量真空度的單位豐富多樣，各自有著獨(dú)特的起源與應(yīng)用場(chǎng)景。真空的衡量標(biāo)準(zhǔn)（一）常用單位帕（Pa）作為國(guó)際單位制中壓力的基本單位，定義為 1 牛頓的力均勻而垂直地作用在 1 平方米的面積上所產(chǎn)
多晶硅和單晶硅都是半導(dǎo)體材料，是電子工業(yè)中非常重要的材料，但它們的制備工藝、物理性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域有所不同。晶體是由原子、離子或分子在三維空間中按照一定的周期性排列而形成的固體。這種有序的排列賦予晶體特
原子層沉積（ALD）是一種能夠從氣相中沉積各種薄膜材料的技術(shù)。原子層沉積在新興的半導(dǎo)體和能源轉(zhuǎn)換技術(shù)中顯示出巨大的前景。基于連續(xù)的自限性反應(yīng)，ALD在高縱橫比結(jié)構(gòu)上提供了出色的保形性，在埃級(jí)的厚度控制
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