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高真空磁控濺射鍍膜設備JCPY500品牌
北京泰科諾產地
北京樣本
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設備型號:JCPY500
真空腔室結構:后置抽氣系統
真空腔室尺寸:Φ500mm×H450mm帶 Load-Lock 功能 支持單片或多片進取樣
加熱溫度 :室溫~ 500℃
基片臺尺寸:Φ150mm
膜厚不均勻性 :Φ100mm 范圍內≤ ±5.0%
濺射靶 :Φ3、Φ4 英寸磁控靶 2-4 支(可選)
工藝氣體 :3 路氣體流量控制
控制方式 : PLC/PC(可選)
占地面積 (主機) :L1800mm×W800mm×H1845mm
總功率 :≥ 15kW
大專院校、科研院所及企業進行薄膜新材料的科研與小批量制備
1. 可提供工藝技術支持,及良好售后服務;
2. 設備結構緊湊,占地面積小,性價比高,性能穩定,使用維護成本低;
3. 單靶濺射 / 多靶依次濺射或共同濺射,兼容 DC/MF/RF 濺射等功能 。
4. 可制備單層及多層金屬膜、介質膜、半導體膜、耐熱合金膜、硬質膜、耐腐蝕摸、透明導電膜,如鈣鈦礦空穴傳輸層、金屬電極以及透明導電層ITO膜層的制備等”;
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磁控濺射設備的主要用途:1.功能性薄膜:具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜;2.裝飾領域:各種全反射膜及半透明膜等;3.微電子領域:在微電子領域作為一種非熱式鍍膜技術,主要應用在化學氣相沉積
什么是鈣鈦礦鈣鈦礦(perovskite),這個有點拗口的名字取自俄羅斯礦物學家Perovski,作為光伏材料的鈣鈦礦,實際上和鈣、鈦、礦三個字都沒太大關系,這是一類與鈣鈦礦(CaTiO3)晶體結構類
熱絲CVD采用高溫下的低壓氣相反應,碳氫化合物在高溫下發生化學反應,生成膜先驅物,當樣品溫度合適時,這些膜先驅物在樣品表面沉積形成金剛砂膜。低壓化學氣相沉積形成的膜層厚度及成分較為均勻,膜層致密。CV
CVD(化學氣相沉積)是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術,包括大范圍的絕緣材料,大多數金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說,它是很簡單的:兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內,
有人曾這樣形容磁控濺射技術——就像往平靜的湖水里投入了石子濺起水花。磁控濺射真空鍍膜技術是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition)的一種,其原理是:用帶電粒子加速轟擊靶材表面
近年來,新型太陽能電池技術不斷發展,鈣鈦礦電池作為其中的代表之一,一度成為人們關注的熱點。鈣鈦礦電池以其良好的光電轉化效果、簡單的制備工藝和原材料的充足性,被譽為是下一代光伏電池的主流技術之一。近日,