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高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備JCP200品牌
北京泰科諾產(chǎn)地
北京樣本
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設(shè)備型號(hào)： JCP200
真空腔室結(jié)構(gòu)： 立式上開蓋結(jié)構(gòu)
真空腔室尺寸： Φ220mm×H300mm
加熱溫度： 室溫～ 500℃
基片臺(tái)尺寸： Φ100mm
膜厚不均勻性： Φ50mm 范圍內(nèi)≤ ±5.0%
濺射靶： Φ2 英寸磁控靶 1 支 兼容 DC/RF 濺射
工藝氣體 ：1-2 路氣體流量控制
控制方式 ：PLC + 觸摸屏控制
占地面積 （主機(jī)） ：L600mm×W800mm×H1700mm
總功率 ：≥ 6kW
暫無數(shù)據(jù)！
磁控濺射設(shè)備的主要用途：1.功能性薄膜：具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜；2.裝飾領(lǐng)域：各種全反射膜及半透明膜等；3.微電子領(lǐng)域：在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積
什么是鈣鈦礦鈣鈦礦（perovskite），這個(gè)有點(diǎn)拗口的名字取自俄羅斯礦物學(xué)家Perovski，作為光伏材料的鈣鈦礦，實(shí)際上和鈣、鈦、礦三個(gè)字都沒太大關(guān)系，這是一類與鈣鈦礦（CaTiO3）晶體結(jié)構(gòu)類
熱絲CVD采用高溫下的低壓氣相反應(yīng)，碳?xì)浠衔镌诟邷叵掳l(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成膜先驅(qū)物，當(dāng)樣品溫度合適時(shí)，這些膜先驅(qū)物在樣品表面沉積形成金剛砂膜。低壓化學(xué)氣相沉積形成的膜層厚度及成分較為均勻，膜層致密。CV
CVD(化學(xué)氣相沉積)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的:兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)，
有人曾這樣形容磁控濺射技術(shù)——就像往平靜的湖水里投入了石子濺起水花。磁控濺射真空鍍膜技術(shù)是物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition）的一種，其原理是：用帶電粒子加速轟擊靶材表面
近年來，新型太陽能電池技術(shù)不斷發(fā)展，鈣鈦礦電池作為其中的代表之一，一度成為人們關(guān)注的熱點(diǎn)。鈣鈦礦電池以其良好的光電轉(zhuǎn)化效果、簡單的制備工藝和原材料的充足性，被譽(yù)為是下一代光伏電池的主流技術(shù)之一。近日，
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