參考價(jià)格
面議型號(hào)
ZHDS400品牌
北京泰科諾產(chǎn)地
北京樣本
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設(shè)備名稱:鈣鈦礦太陽能電池蒸發(fā)設(shè)備(鍍膜機(jī)+手套箱復(fù)合型)
設(shè)備型號(hào):ZHDS400
鍍膜方式:金屬 + 有機(jī)/無機(jī)蒸發(fā)
真空腔室結(jié)構(gòu):SUS304 方箱式,配有前、后門
真空腔室尺寸:L400mmxW440mmxH450mm
加熱溫度:室溫-300℃(選配)
基片臺(tái)尺寸:抽屜式:120mmx120mm可旋轉(zhuǎn)、升降、水冷
膜厚不均勻性:≤±5.0%(120mmx120mm范圍內(nèi))
蒸發(fā)源:金屬 2 組 + 有機(jī) 4 組或更多,有機(jī)配溫控式加熱電源,金屬電源 (國產(chǎn)或進(jìn)口)
晶振膜厚監(jiān)控儀:國產(chǎn)或進(jìn)口(可選)
控制方式:PLC/PC 控制 ( 可選 )
占地面積:L2500mmxW1600mmxH1900mm( 不含手套箱 )
總功率:≥ 10kW 三相五線制
1. 技術(shù)先進(jìn)、設(shè)計(jì)優(yōu)化,性價(jià)比高,性能穩(wěn)定,使用維護(hù)成本低。
2. 適用于蒸發(fā)/磁控濺射與手套箱環(huán)境有機(jī)融合,實(shí)現(xiàn)制備、封裝、測試等工藝無縫對(duì)接,廣泛用于鈣鈦礦太陽能電池 /OPV 有機(jī)太陽能電池及 OLED薄膜等研究系統(tǒng)等。
3. 鈣鈦礦蒸鍍適用范圍:有機(jī)材料,常見如C60、BCP制備電子傳輸層。無機(jī)材料,如LiF、MgF 制備鈣鈦礦層修飾層,金屬材料,如Cu,制備背電極。
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磁控濺射設(shè)備的主要用途:1.功能性薄膜:具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜;2.裝飾領(lǐng)域:各種全反射膜及半透明膜等;3.微電子領(lǐng)域:在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積
什么是鈣鈦礦鈣鈦礦(perovskite),這個(gè)有點(diǎn)拗口的名字取自俄羅斯礦物學(xué)家Perovski,作為光伏材料的鈣鈦礦,實(shí)際上和鈣、鈦、礦三個(gè)字都沒太大關(guān)系,這是一類與鈣鈦礦(CaTiO3)晶體結(jié)構(gòu)類
熱絲CVD采用高溫下的低壓氣相反應(yīng),碳?xì)浠衔镌诟邷叵掳l(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成膜先驅(qū)物,當(dāng)樣品溫度合適時(shí),這些膜先驅(qū)物在樣品表面沉積形成金剛砂膜。低壓化學(xué)氣相沉積形成的膜層厚度及成分較為均勻,膜層致密。CV
在真空領(lǐng)域,衡量真空度的單位豐富多樣,各自有著獨(dú)特的起源與應(yīng)用場景。真空的衡量標(biāo)準(zhǔn)(一)常用單位帕(Pa)作為國際單位制中壓力的基本單位,定義為 1 牛頓的力均勻而垂直地作用在 1 平方米的面積上所產(chǎn)
多晶硅和單晶硅都是半導(dǎo)體材料,是電子工業(yè)中非常重要的材料,但它們的制備工藝、物理性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域有所不同。晶體是由原子、離子或分子在三維空間中按照一定的周期性排列而形成的固體。這種有序的排列賦予晶體特
原子層沉積(ALD)是一種能夠從氣相中沉積各種薄膜材料的技術(shù)。原子層沉積在新興的半導(dǎo)體和能源轉(zhuǎn)換技術(shù)中顯示出巨大的前景。基于連續(xù)的自限性反應(yīng),ALD在高縱橫比結(jié)構(gòu)上提供了出色的保形性,在埃級(jí)的厚度控制