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粉體鍍膜設(shè)備JGCF350品牌
北京泰科諾產(chǎn)地
北京樣本
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設(shè)備名稱：粉體鍍膜設(shè)備
設(shè)備型號：JGCF350
鍍膜方式：磁控濺射
真空腔室結(jié)構(gòu)：Φ350mmxH350mm
粉體 / 顆粒尺寸：≥ 10um
物料裝載：托盤震動
產(chǎn)量：3-10g
加熱烘烤：可選
濺射源 ：2 英寸圓形平面靶 1-2 只
占地面積：L1620mm×W1060mm×H1900mm
總功率：≥ 8kW
控制方式：PLC/PC 控制 ( 可選 )
報(bào)警及保護(hù)系統(tǒng)：完善的邏輯程序互鎖保護(hù)系統(tǒng)
1. 在微米級以上粉體顆粒表面沉積各種納米級單層及多層導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜、絕緣膜等；
2. 系統(tǒng)可用于粉體顆粒表面金屬化，達(dá)到表面導(dǎo)電，例：碳化硅表面鍍鈦，氧化鋁表面鍍鎳等 ;
3. 系統(tǒng)可用于粉體顆粒表面反射率的改變，應(yīng)用于化妝品、汽車等高端外觀粉體涂料，
例：玻璃微珠鍍氧化鈦等；
4. 系統(tǒng)可用于粉體顆粒表面層成份改變，應(yīng)用于新型合金材料改變其中某一成份含量；
5. 系統(tǒng)可用于粉體顆粒表面沉積新材料，有效提高粉體固化粘結(jié)強(qiáng)度，例：金剛石粉鍍鉻等
6. 廣泛應(yīng)用于粉體燒結(jié)、3D 打印原材料、粉體表面光學(xué)性能改變等行業(yè)及研究方向。
我公司**技術(shù)，粉體顆粒涂覆技術(shù)國內(nèi)**，微米級粉體包覆率大于 90%，結(jié)合力好；
已能實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品系列化滿足科研及批量化生產(chǎn)之需求。
暫無數(shù)據(jù)！
磁控濺射設(shè)備的主要用途：1.功能性薄膜：具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜；2.裝飾領(lǐng)域：各種全反射膜及半透明膜等；3.微電子領(lǐng)域：在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積
什么是鈣鈦礦鈣鈦礦（perovskite），這個有點(diǎn)拗口的名字取自俄羅斯礦物學(xué)家Perovski，作為光伏材料的鈣鈦礦，實(shí)際上和鈣、鈦、礦三個字都沒太大關(guān)系，這是一類與鈣鈦礦（CaTiO3）晶體結(jié)構(gòu)類
熱絲CVD采用高溫下的低壓氣相反應(yīng)，碳?xì)浠衔镌诟邷叵掳l(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成膜先驅(qū)物，當(dāng)樣品溫度合適時，這些膜先驅(qū)物在樣品表面沉積形成金剛砂膜。低壓化學(xué)氣相沉積形成的膜層厚度及成分較為均勻，膜層致密。CV
在真空領(lǐng)域，衡量真空度的單位豐富多樣，各自有著獨(dú)特的起源與應(yīng)用場景。真空的衡量標(biāo)準(zhǔn)（一）常用單位帕（Pa）作為國際單位制中壓力的基本單位，定義為 1 牛頓的力均勻而垂直地作用在 1 平方米的面積上所產(chǎn)
多晶硅和單晶硅都是半導(dǎo)體材料，是電子工業(yè)中非常重要的材料，但它們的制備工藝、物理性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域有所不同。晶體是由原子、離子或分子在三維空間中按照一定的周期性排列而形成的固體。這種有序的排列賦予晶體特
原子層沉積（ALD）是一種能夠從氣相中沉積各種薄膜材料的技術(shù)。原子層沉積在新興的半導(dǎo)體和能源轉(zhuǎn)換技術(shù)中顯示出巨大的前景。基于連續(xù)的自限性反應(yīng)，ALD在高縱橫比結(jié)構(gòu)上提供了出色的保形性，在埃級的厚度控制
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