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電阻蒸發(fā)鍍膜設備ZHDS500品牌
北京泰科諾產(chǎn)地
北京樣本
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設備型號：ZHDS500
鍍膜方式：金屬 + 有機蒸發(fā)
真空腔室結構：SUS304 方箱式，配有前、后門
真空腔室尺寸：L500mmxW500mmxH650mm
加熱溫度：室溫-300℃（選配）
基片臺尺寸：抽屜式:220mmx220mm可旋轉、升降、水冷
膜厚不均勻性：≤±5.0%（220mmx220mm范圍內）
蒸發(fā)源：金屬/有機4-6組
晶振膜厚監(jiān)控儀：國產(chǎn)或進口（可選）
控制方式：PLC/PC 控制 ( 可選 )
占地面積：L2500mmxW1600mmxH1900mm( 不含手套箱 )
總功率：≥12kW 三相五線制
1. 技術先進、設計優(yōu)化，性價比高，性能穩(wěn)定，使用維護成本低；
2. 廣泛應用于鈣鈦礦太陽能電池/OPV有機太陽能電池等各種膜層的制備；
如：鈣鈦礦層、電子傳輸層及背電極等膜層的制備
暫無數(shù)據(jù)！
磁控濺射設備的主要用途：1.功能性薄膜：具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜；2.裝飾領域：各種全反射膜及半透明膜等；3.微電子領域：在微電子領域作為一種非熱式鍍膜技術，主要應用在化學氣相沉積
什么是鈣鈦礦鈣鈦礦（perovskite），這個有點拗口的名字取自俄羅斯礦物學家Perovski，作為光伏材料的鈣鈦礦，實際上和鈣、鈦、礦三個字都沒太大關系，這是一類與鈣鈦礦（CaTiO3）晶體結構類
熱絲CVD采用高溫下的低壓氣相反應，碳氫化合物在高溫下發(fā)生化學反應，生成膜先驅物，當樣品溫度合適時，這些膜先驅物在樣品表面沉積形成金剛砂膜。低壓化學氣相沉積形成的膜層厚度及成分較為均勻，膜層致密。CV
在真空領域，衡量真空度的單位豐富多樣，各自有著獨特的起源與應用場景。真空的衡量標準（一）常用單位帕（Pa）作為國際單位制中壓力的基本單位，定義為 1 牛頓的力均勻而垂直地作用在 1 平方米的面積上所產(chǎn)
多晶硅和單晶硅都是半導體材料，是電子工業(yè)中非常重要的材料，但它們的制備工藝、物理性質以及應用領域有所不同。晶體是由原子、離子或分子在三維空間中按照一定的周期性排列而形成的固體。這種有序的排列賦予晶體特
原子層沉積（ALD）是一種能夠從氣相中沉積各種薄膜材料的技術。原子層沉積在新興的半導體和能源轉換技術中顯示出巨大的前景。基于連續(xù)的自限性反應，ALD在高縱橫比結構上提供了出色的保形性，在埃級的厚度控制
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