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一、整機(jī)簡述： 特點/用途 JCP200設(shè)備設(shè)備體積小，真空獲得快，功能強大，使用成本低；PLC觸摸屏控制，操控方便該設(shè)備標(biāo)配1只平面靶，另預(yù)留1對蒸發(fā)電極接口，能夠濺射蒸發(fā)兩用（磁控濺射與蒸發(fā)鍍不能同時進(jìn)行）； 該設(shè)備主要用來開發(fā)納米級導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜、絕緣膜等，基片臺加負(fù)偏壓可實現(xiàn)基片反濺清洗功能;非常適合于大專院校的教學(xué)、科研之用。 二、設(shè)備主要技術(shù)參數(shù)： 1.真空腔室 Ф220×H300mm，不銹鋼上開蓋結(jié)構(gòu)； 2.真空系統(tǒng) 渦輪分子泵+直聯(lián)旋片泵,電動真空閥門，“一低一高”數(shù)顯復(fù)合真空計； 3.真空極限 優(yōu)于8.0×10-5Pa（設(shè)備空載抽真空24小時）； 4.抽速 從大氣抽至6.0×10-3Pa≤15min； 5.漏率 設(shè)備升壓率≤0.8Pa/h； 設(shè)備保壓：停泵12小時候后，真空≤10Pa； 6.可鍍膜尺寸 2英寸1片，散片若干；  7.基片加熱與旋轉(zhuǎn) 襯底加熱：室溫～500℃，自動測溫，PID控溫； 基片旋轉(zhuǎn)：0-20轉(zhuǎn)/分鐘，可調(diào)可控； 8.濺射靶規(guī)格 2英寸圓形平面靶1只，另預(yù)留1對蒸發(fā)電極接口； 9.膜厚不均勻性 ≤±5%(Ф50mm范圍內(nèi))； 10.控制方式 PLC觸摸屏控制； 11.循環(huán)水機(jī) 制冷量2.8kW；（選配） 12.報警及保護(hù)  對泵、靶、電極等缺水、過流過壓、斷路等異常情況進(jìn)行報警并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施； 13.占地面積 長×寬×高: 1670×1640×1900mm；