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一、整機簡述： 特點/用途 JCP200設備設備體積小，真空獲得快，功能強大，使用成本低；PLC觸摸屏控制，操控方便該設備標配1只平面靶，另預留1對蒸發電極接口，能夠濺射蒸發兩用（磁控濺射與蒸發鍍不能同時進行）； 該設備主要用來開發納米級導電膜、半導體膜、絕緣膜等，基片臺加負偏壓可實現基片反濺清洗功能;非常適合于大專院校的教學、科研之用。 二、設備主要技術參數： 1.真空腔室 Ф220×H300mm，不銹鋼上開蓋結構； 2.真空系統 渦輪分子泵+直聯旋片泵,電動真空閥門，“一低一高”數顯復合真空計； 3.真空極限 優于8.0×10-5Pa（設備空載抽真空24小時）； 4.抽速 從大氣抽至6.0×10-3Pa≤15min； 5.漏率 設備升壓率≤0.8Pa/h； 設備保壓：停泵12小時候后，真空≤10Pa； 6.可鍍膜尺寸 2英寸1片，散片若干；  7.基片加熱與旋轉 襯底加熱：室溫～500℃，自動測溫，PID控溫； 基片旋轉：0-20轉/分鐘，可調可控； 8.濺射靶規格 2英寸圓形平面靶1只，另預留1對蒸發電極接口； 9.膜厚不均勻性 ≤±5%(Ф50mm范圍內)； 10.控制方式 PLC觸摸屏控制； 11.循環水機 制冷量2.8kW；（選配） 12.報警及保護  對泵、靶、電極等缺水、過流過壓、斷路等異常情況進行報警并執行相應保護措施； 13.占地面積 長×寬×高: 1670×1640×1900mm；