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高真空磁控濺射鍍膜機(jī) JCP200
高真空磁控濺射鍍膜機(jī) JCP200

參考價(jià)格

面議

型號(hào)

高真空磁控濺射鍍膜機(jī) JCP200

品牌

研博智創(chuàng)

產(chǎn)地

河北

樣本

暫無(wú)
研博智創(chuàng)任丘科技有限公司

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一、整機(jī)簡(jiǎn)述: 特點(diǎn)/用途 JCP200設(shè)備設(shè)備體積小,真空獲得快,功能強(qiáng)大,使用成本低;PLC觸摸屏控制,操控方便該設(shè)備標(biāo)配1只平面靶,另預(yù)留1對(duì)蒸發(fā)電極接口,能夠?yàn)R射蒸發(fā)兩用(磁控濺射與蒸發(fā)鍍不能同時(shí)進(jìn)行); 該設(shè)備主要用來(lái)開(kāi)發(fā)納米級(jí)導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜、絕緣膜等,基片臺(tái)加負(fù)偏壓可實(shí)現(xiàn)基片反濺清洗功能;非常適合于大專院校的教學(xué)、科研之用。 二、設(shè)備主要技術(shù)參數(shù): 1.真空腔室 Ф220×H300mm,不銹鋼上開(kāi)蓋結(jié)構(gòu); 2.真空系統(tǒng) 渦輪分子泵+直聯(lián)旋片泵,電動(dòng)真空閥門,“一低一高”數(shù)顯復(fù)合真空計(jì); 3.真空極限 優(yōu)于8.0×10-5Pa(設(shè)備空載抽真空24小時(shí)); 4.抽速 從大氣抽至6.0×10-3Pa≤15min; 5.漏率 設(shè)備升壓率≤0.8Pa/h; 設(shè)備保壓:停泵12小時(shí)候后,真空≤10Pa; 6.可鍍膜尺寸 2英寸1片,散片若干;  7.基片加熱與旋轉(zhuǎn) 襯底加熱:室溫~500℃,自動(dòng)測(cè)溫,PID控溫; 基片旋轉(zhuǎn):0-20轉(zhuǎn)/分鐘,可調(diào)可控; 8.濺射靶規(guī)格 2英寸圓形平面靶1只,另預(yù)留1對(duì)蒸發(fā)電極接口; 9.膜厚不均勻性 ≤±5%(Ф50mm范圍內(nèi)); 10.控制方式 PLC觸摸屏控制; 11.循環(huán)水機(jī) 制冷量2.8kW;(選配) 12.報(bào)警及保護(hù)  對(duì)泵、靶、電極等缺水、過(guò)流過(guò)壓、斷路等異常情況進(jìn)行報(bào)警并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施; 13.占地面積 長(zhǎng)×寬×高: 1670×1640×1900mm;

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