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高真空多靶磁控濺射鍍膜系統 JCP500品牌
研博智創產地
河北樣本
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設備主要技術參數：
1.真空腔室
Ф500×H420mm，304優質不銹鋼，前開門結構；
2.真空系統
復合分子泵+直聯旋片泵+高真空閥門組合的高真空系統，數顯復合真空計；
3.真空極限
6.0×10-5Pa（設備空載抽真空24小時）；
4.漏率
設備升壓率≤0.8Pa/h；
設備保壓：停泵12小時候后，真空≤10Pa；
5.抽速
(空載）從大氣抽至5.0×10-3Pa≤15min；
6.基片臺尺寸
Φ150mm范圍內可裝卡各種規格基片；
7.基片臺旋轉與加熱
基片旋轉：0～20轉/分鐘；
加熱:室溫～500±1℃，可控可調，日本島電PID智能溫控閉環控溫；
8.濺射靶
配置3套3英寸永磁共焦磁控濺射靶（濺射靶角度、高度可調）；
磁控靶RF、MF、DC兼容，可以濺射磁性材料，
磁控靶配有氣動擋板結構；
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