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一、整機簡述： 特點/用途 該設備主機與控制一體化設計，PLC觸摸屏控制，操控方便，結構緊湊，占地小；設備廣泛應用于高校、科研院所的教學、科研實驗以及生產型企業(yè)前期探索性實驗及開發(fā)新產品等，深受廣大用戶好評； JCP350高真空多靶磁控濺射鍍膜機，可單靶獨立、多靶輪流和組合向心共濺射；各濺射靶及基片臺均配獨立擋板，保證鍍膜的工藝性（預濺射、多層膜、摻雜、防止交叉污染和干擾等）；設備樣品臺可加負偏壓對樣品進行等離子清洗活化、輔助濺射功能。 該設備主要用來開發(fā)納米級單層及多層的金屬導電膜（可選配強磁靶鍍磁性材料薄膜）、半導體膜以及陶瓷絕緣薄膜等。 二、設備主要技術參數： 1.真空腔室 φ350×H350mm，304優(yōu)質不銹鋼真空腔室； 2.真空系統(tǒng) 復合分子泵+直聯(lián)旋片泵+高真空氣/電動閥門高真空系統(tǒng)，數顯復合真空計； 3.真空極限 極限真空優(yōu)于6.6×10-5Pa（設備空載抽真空24小時）； 4.漏率 設備升壓率≤0.8Pa/h； 設備保壓：停泵12小時候后，真空≤10Pa； 5.抽速 （空載）從大氣抽至5.0×10-3Pa≤15min； 6.基片臺尺寸 Φ120mm范圍內可裝卡各種規(guī)格基片； 7.基片臺旋轉與加熱 基片旋轉：0～20轉/分鐘； 加熱:室溫～500±1℃，可控可調，日本島電PID智能溫控閉環(huán)控溫； 8.濺射靶 2英寸磁控靶，2只；兩靶共焦濺射，另預留1只靶位； 兼容直流/射頻電源濺射； 標配直流/射頻濺射各1臺；磁控靶配有氣動擋板結構； 9.工作方式 各靶可獨立/順次/共同工作，采用磁控靶從下向上濺射鍍膜； 10.膜厚不均勻性 ≤±5%（基片臺Φ75mm范圍內）； 11.控制方式 PLC+觸摸屏人機界面半自動控制系統(tǒng)； 12.報警及保護 對泵、電極等缺水、過流過壓、斷路等異常情況進行報警并執(zhí)行相應保護措施；完善的邏輯程序互鎖保護系統(tǒng)； 13.占地 (主機）L1600mm×W800mm×H1920mm。