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等離子增強化學氣相沉積實驗系統 極限真空：≤6.67x10-5 Pa (經烘烤除氣后)； 頻率： 13.56MHz； 控制方式：手動邏輯控制； 氣路系統：4路進氣及不銹鋼管路、截止閥等； 設備主要用途： 該系列設備應用等離子體化學氣相沉積技術，主要用來制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電及金屬膜。等離子增強化學氣相沉積可以較大幅度地降低沉積反應的溫度，使其在熱穩定性差的基底表面上進行沉積成為可能。反應溫度的降低還可以有效抑制器件制作過程中的層間擴散。沉積溫度的降低，還可以降低熱應力失配。 設備的主要技術參數:
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